[发明专利]一种隔离电源的副边控制方法及副边控制系统在审

专利信息
申请号: 202011131735.X 申请日: 2020-10-21
公开(公告)号: CN114389454A 公开(公告)日: 2022-04-22
发明(设计)人: 高建龙;冯林 申请(专利权)人: 上海南芯半导体科技股份有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335;H02H7/12
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 葛启函
地址: 200120 上海市*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 隔离 电源 控制 方法 控制系统
【权利要求书】:

1.一种隔离电源的副边控制方法,所述隔离电源基于断续电流模式,包括变压器和原边功率管,所述变压器包括原边电感和副边电感,所述原边功率管与所述变压器原边电感串联;其特征在于,所述隔离电源的副边控制方法包括控制所述原边功率管的开启和关断,其中控制所述原边功率管关断的方法包括如下步骤:

A1、在所述原边功率管开通期间,检测所述变压器副边电感两端的电压,由于所述隔离电源输入电压与所述变压器副边电感两端的电压之比为所述变压器原边绕组和副边绕组的匝数比,且所述隔离电源的原边电感电流与所述隔离电源输入电压正相关,对检测得到的所述变压器副边电感两端电压进行处理就能够获取所述隔离电源的原边电感电流信息;

A2、根据所述步骤A1获得的所述隔离电源的原边电感电流信息判断所述隔离电源的原边电感电流是否达到峰值,当达到峰值时将所述原边功率管关断;

控制所述原边功率管开启的方法包括如下步骤:

B1、检测所述变压器副边电感两端的电压并获取副边续流时间占一个开关周期的占空比D;

B2、获取所述变压器副边电感两端电压的峰值电压并转换为副边峰值电流LS_PK,则所述隔离电源的输出负载电流为

B3、采样所述隔离电源的输出电压获得反馈电压,将所述隔离电源的输出负载电流进行处理获得包含所述隔离电源的输出负载电流信息的电压信号后与所述反馈电压进行比较,并根据比较结果控制所述原边开关管的开关状态。

2.根据权利要求1所述的隔离电源的副边控制方法,其特征在于,所述步骤A1中,将检测到的所述变压器副边电感两端的电压转换为电流信号后对第一电容进行充电,将所述第一电容上的电压与设定的阈值电压进行比较,当所述第一电容上的电压大于所述阈值电压时表示所述隔离电源的原边电感电流达到峰值,产生关断所述原边功率管的信号。

3.根据权利要求2所述的隔离电源的副边控制方法,其特征在于,所述隔离电源的输出负载不同对应的原边电感电流的峰值也不同,利用包括但不限于以下三种方法来适应不同的原边电感电流峰值:

方法一、调节所述第一电容的电容值;

方法二、调节所述阈值电压的电压值;

方法三、调节所述变压器副边电感两端的电压转换为电流信号的比例系数。

4.根据权利要求1至3任一项所述的隔离电源的副边控制方法,其特征在于,根据所述步骤B2获得的所述隔离电源的输出负载电流控制所述隔离电源的原边电感电流,使得所述隔离电源的输出负载电流保持恒定;比较所述隔离电源的输出负载电流与设定的过载保护阈值电流,当超过所述过载保护阈值电流时控制所述原边开关管保持关断实现输出过载保护。

5.一种隔离电源的副边控制系统,所述隔离电源基于断续电流模式,包括变压器、原边功率管和副边二极管,所述变压器的原边绕组一端连接所述隔离电源的输入电压,另一端通过所述原边功率管后接地;所述变压器的副边绕组一端连接所述副边二极管的阳极,另一端接地;所述副边二极管的阴极输出所述隔离电源的输出电压,对所述隔离电源的输出电压进行采样得到反馈电压;

其特征在于,所述隔离电源的副边控制系统用于控制所述原边功率管的开通和关断,包括原边电流检测模块、信息处理单元和控制模块,

所述原边电流检测模块的输入端连接所述变压器副边电感两端的电压,用于产生包含所述隔离电源的原边电感电流信息的输出信号;所述信息处理单元用于根据所述原边电流检测模块的输出信号判断所述隔离电源的原边电感电流是否达到峰值,当达到峰值时控制所述控制模块将所述原边功率管关断;

所述信息处理单元还用于根据所述原边电流检测模块检测的所述变压器副边电感两端的电压计算副边续流时间占一个开关周期的占空比D,并根据所述原边电流检测模块检测的所述变压器副边电感两端电压的峰值电压计算副边峰值电流LS_PK,从而得到所述隔离电源的输出负载电流为并产生包含所述隔离电源的输出负载电流信息的电压信号输出到所述控制模块中;所述控制模块将所述包含所述隔离电源的输出负载电流信息的电压信号与所述反馈电压进行比较,并根据比较结果控制所述原边功率管的开关状态。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海南芯半导体科技股份有限公司,未经上海南芯半导体科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011131735.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top