[发明专利]一种奥氏体管内壁腐蚀层厚度的涡流检测方法有效

专利信息
申请号: 202011131869.1 申请日: 2020-10-21
公开(公告)号: CN112378329B 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 蔡桂喜;张双楠;李宏伟;张博;李建奎;张宝俊;杨亮;刘芳 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: G01B7/06 分类号: G01B7/06;G01N27/90
代理公司: 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 代理人: 张晨
地址: 110015 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 奥氏体 内壁 腐蚀 厚度 涡流 检测 方法
【权利要求书】:

1.一种奥氏体管内壁腐蚀层厚度的涡流检测方法,其特征在于:

首先利用高频涡流信号对奥氏体管壁进行测量,确定管道外壁氧化层厚度,再绘制出样管外壁氧化层厚度与高频涡流检测信号幅值的线性关系图;

然后以高频测量结果为基础,利用低频涡流对样管进行测量,绘制不同氧化层厚度的情况下,腐蚀层厚度与低频涡流检测信号幅值的线性关系图;

最后通过低频涡流条件下的测量值与标定曲线之间的函数关系,解出所测量管壁具体的腐蚀层厚度值,所述标定曲线是指腐蚀层厚度与低频涡流检测信号幅值的线性关系图。

2.按照权利要求1所述奥氏体管内壁腐蚀层厚度的涡流检测方法,其特征在于:现场测量前对样管进行包括高频和低频两种情况下的标定测量:

高频条件下进行标定测量时,先对原管进行测量标定零点,再对具有已知氧化层厚度的标定样管进行高频涡流检测,结合标定零点绘制出氧化层厚度与高频涡流检测信号幅值的线性关系图,通过对高频涡流条件下的测量值与该图相对应即可得到氧化层厚度值;

低频条件下进行标定测量时,先对原管进行测量标定零点,再对具有已知腐蚀层厚度的标定样管进行低频涡流检测,所述标定样管包含无氧化层与有已知氧化层两种样管,结合标定零点绘制出不同氧化层厚度情况下腐蚀层与涡流检测信号的线性函数关系图,以高频涡流检测得出的氧化层厚度为基础,通过低频涡流条件下的测量值与标定曲线之间的函数关系,最后解出具体的腐蚀层厚度值。

3.按照权利要求1或2所述奥氏体管内壁腐蚀层厚度的涡流检测方法,其特征在于:使用一发一收式涡流检测探头,其最佳检测频率需包含1k-100k赫兹。

4.按照权利要求1所述奥氏体管内壁腐蚀层厚度的涡流检测方法,其特征在于:所用涡流检测探头设计有半开式磁盒进行磁屏蔽。

5.按照权利要求1所述奥氏体管内壁腐蚀层厚度的涡流检测方法,其特征在于:所述样管是利用待检奥氏体管道同批次原管以及现场替换下的带有氧化层和腐蚀层的奥氏体管制作的。

6.按照权利要求1所述奥氏体管内壁腐蚀层厚度的涡流检测方法,其特征在于:现场测量前需对检测点进行表面处理,使其光滑平整,同时清除测量点附近存在铁磁性物质。

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