[发明专利]光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法在审
| 申请号： | 202011132115.8 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112230511A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 刘向南;刘小虎 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/82 | 分类号： | G03F1/82;B08B5/04;B08B13/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防护 薄膜 表面上 污染 颗粒 去除 方法 | ||
1.一种光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、采用显微镜在光罩的防护薄膜表面上找到污染颗粒；
步骤二、将真空吸管和污染颗粒接触；
步骤三、开启真空将所接触的所述污染颗粒去除，防止在去除过程中所述污染颗粒在所述防护薄膜表面产生移动并实现对所述污染颗粒的有效去除。
2.如权利要求1所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：所述显微镜为光学显微镜。
3.如权利要求2所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：根据所述污染颗粒大小选择所述显微镜的镜头倍数，保证能对所述污染颗粒进行观察和精确定位。
4.如权利要求1所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：所述光罩上包括图形层。
5.如权利要求4所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：所述图形层由金属铬光刻刻蚀后形成。
6.如权利要求5所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：所述图形层形成在由石英玻璃组成的衬底上。
7.如权利要求6所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：所述防护薄膜设置在所述图形层的顶部，所述防护薄膜和所述图形层的顶部表面之间具有间距。
8.如权利要求7所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：所述防护薄膜为透明薄膜。
9.如权利要求1所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：步骤一至步骤三在集成电路制造工厂的无尘室环境中进行。
10.如权利要求9所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：步骤一至步骤三在集成电路制造工厂的无尘室环境中设置的洁净等级更高的无尘区域内进行。
11.如权利要求1所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：步骤一中对找到所述污染颗粒进行自动放大和定位。
12.如权利要求11所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：步骤二中采用手动或自动方式实现所述真空吸管和所述污染颗粒的接触。
13.如权利要求12所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：步骤三中，采用手动或自动方式实现真空开启。
14.如权利要求1所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：步骤三中开启真空后需要移走所述真空吸管，之后关闭真空，之后在进行下一个所述污染颗粒的去除。
15.如权利要求1所述的光罩防护薄膜表面上的污染颗粒去除方法，其特征在于：步骤一至步骤三中，所述光罩放置在设置了静电消除器的光罩推车上。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
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