[发明专利]一种铜互连线的制造方法及半导体器件在审
| 申请号： | 202011132578.4 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112420601A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 杨妍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 互连 制造 方法 半导体器件 | ||
1.一种铜互连线的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基底；
在所述基底上形成铜材料层，所述铜材料层包括互连部和溢出部；
减薄所述溢出部；
对所述基底、互连部和剩余的溢出部进行退火处理；
去除剩余的所述溢出部，保留所述互连部，以形成铜互连线。
2.根据权利要求1所述的铜互连线的制造方法，其特征在于，减薄所述溢出部包括：
减薄所述溢出部至第一预设厚度。
3.根据权利要求1所述的铜互连线的制造方法，其特征在于，减薄所述溢出部包括：
减薄所述溢出部至0.5～1.5μm。
4.根据权利要求1所述的铜互连线的制造方法，其特征在于，所述退火处理的退火温度为250℃～350℃；所述退火处理时的保温时长大于等于30分钟。
5.根据权利要求1所述的铜互连线的制造方法，其特征在于，减薄所述溢出部和去除剩余的所述溢出部均采用化学机械抛光工艺；
减薄所述溢出部时的化学机械抛光速度小于去除剩余的所述溢出部时的化学机械抛光速度。
6.根据权利要求1所述的铜互连线的制造方法，其特征在于，所述溢出部的厚度为大于或等于2μm。
7.根据权利要求1所述的铜互连线的制造方法，其特征在于，所述基底包括衬底以及形成在所述衬底表面的层间介质层；在所述基底上形成铜材料层包括：
刻蚀所述层间介质层以形成沟槽；
在具有所述沟槽的层间介质层上淀积形成铜材料层；所述铜材料层位于所述沟槽内的部分形成所述互连部；所述铜材料层位于所述层间介质层表面的部分形成所述溢出部。
8.根据权利要求1至7任一项所述的铜互连线的制造方法，其特征在于，所述铜材料层自下而上包括阻挡层、铜种子层和铜导电层。
9.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件至少包括铜互连线；所述铜互连线采用权利要求1至8任一项所述的铜互连线的制造方法制造。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
