[发明专利]一种铸锭晶硅异质结太阳能电池及其制作方法在审
申请号: | 202011132671.5 | 申请日: | 2020-10-21 |
公开(公告)号: | CN114388639A | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 许志 | 申请(专利权)人: | 福建新峰二维材料科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/074;H01L31/18 |
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地址: | 362000 福建省泉*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铸锭 晶硅异质结 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
1.一种铸锭晶硅异质结太阳能电池,其特征在于,包括:铸锭晶硅衬底,所述铸锭晶硅衬底含有多个生长方向不同的晶粒;设置在铸锭晶硅衬底表面的金字塔绒面,其中,金字塔绒面底部的相邻晶粒边界位置具有平滑的弧形结构;设置在金字塔绒面表面的本征型非晶硅膜层和掺杂型的非晶硅膜层,其中,所述弧形结构上的本征型非晶硅膜层和掺杂型的非晶硅膜层的厚度比金字塔绒面的斜面上本征型非晶硅膜层和掺杂型的非晶硅膜层的厚度更厚;设置在掺杂型非晶硅膜层之上的透明导电膜层;及设置在透明导电膜层之上的金属电极。
2.根据权利要求1所述一种铸锭晶硅异质结太阳能电池,其特征在于:所述铸锭晶硅衬底为铸锭单晶硅片或铸锭多晶硅衬底,掺杂类型为N型或P型。
3.根据权利要求1所述一种铸锭晶硅异质结太阳能电池,其特征在于:所述金字塔绒面高度为0.5-10微米;弧形结构的弧度长为0.1-1微米。
4.一种铸锭晶硅异质结太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述方法包括步骤如下:去除铸锭晶硅衬底的杂质;对已去除杂质的铸锭晶硅衬底制作金字塔绒面;对已制作金字塔绒面的铸锭晶硅衬底进行区域圆滑处理,在金字塔绒面底部的相邻晶粒边界位置形成平滑的弧形结构;对铸锭晶硅衬底清洗并去除氧化层;对铸锭晶硅衬底两面沉积本征型非晶硅膜层和掺杂型非晶硅膜层进行钝化并形成PN结;在掺杂型非晶硅膜层上沉积透明导电膜层;及在透明导电膜层上形成金属电极。
5.根据权利要求4所述一种铸锭晶硅异质结太阳能电池的制作方法,其特征在于:所述去除铸锭晶硅衬底的杂质,为通过溶液预清洁去除有机污染和大颗粒,再表面沉积一层含磷硅氧的混合膜层后高温扩散去除杂质。
6.根据权利要求4所述一种铸锭晶硅异质结太阳能电池的制作方法,其特征在于:所述对已去除杂质的铸锭晶硅衬底制作金字塔绒面,为采用碱性蚀刻液进行各向异性的腐蚀制作金字塔绒面,所述碱性蚀刻液包含表面活性剂与抑制剂和氢氧化钠、氢氧化钾、氨水中至少一种的形成的混合溶液。
7.根据权利要求4所述一种铸锭晶硅异质结太阳能电池的制作方法,其特征在于:所述对已制作金字塔绒面的铸锭晶硅衬底进行区域圆滑处理,在金字塔绒面底部的相邻晶粒边界位置形成平滑的弧形结构,为采用酸性蚀刻液直接对金字塔绒面进行再蚀刻;或先采用酸性蚀刻液对金字塔绒面进行初步蚀刻,再用碱性微蚀液对金字塔绒面进行进一步蚀刻。
8.根据权利要求7所述一种铸锭晶硅异质结太阳能电池的制作方法,其特征在于:所述酸性蚀刻液包含表面活性剂与抑制剂,以及氢氟酸、硝酸、臭氧或双氧水中至少一种的混合溶液;所述碱性微蚀液包含表面活性剂与抑制剂和氢氧化钠、氢氧化钾、氨水中至少一种的形成的混合溶液。
9.根据权利要求7所述一种铸锭晶硅异质结太阳能电池的制作方法,其特征在于:所述碱性微蚀液的浓度低于所述碱性蚀刻液的浓度。
10.根据权利要求4所述一种铸锭晶硅异质结太阳能电池的制作方法,其特征在于:所述对铸锭晶硅衬底清洗并去除氧化层,为通过RCA清洗去除表面残留的污渍和离子;再用HF的水溶液去除表面的氧化层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的