[发明专利]在极性转变期间降低功耗的电压驱动器

说明书

本申请案涉及在极性转变期间降低功耗的电压驱动器。本发明涉及一种集成电路存储器装置，其具有：存储器单元；及耗尽型电压驱动器，其连接到所述存储器单元。在第一极性中，所述电压驱动器由相对于接地的负电压供电以驱动负选择电压或第一取消选择电压；在第二极性中，所述电压驱动器由相对于接地的正电压供电以驱动正选择电压或第二取消选择电压。所述电压驱动器经配置以在所述第一极性与所述第二极性之间转变。在所述转变期间，所述电压驱动器经配置以具有用于输出取消选择电压的控制电压摆幅，其小于用于输出选择电压的控制电压摆幅。

技术领域

本文揭示的至少一些实施例一般来说涉及用于施加电压到存储器单元的电压驱动器，且具体来说但不限于涉及用于涉及极性转变的电压的高能效电压驱动器。

背景技术

存储器集成电路可具有形成在半导材料的集成电路裸片上的一或多个存储器单元阵列。存储器单元是可个别使用或操作以存储数据的存储器的最小单元。一般来说，存储器单元可存储一或多个数据位。

针对存储器集成电路已经开发不同类型的存储器单元，例如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、相变存储器(PCM)、磁随机存取存储器(MRAM)、或非(NOR)快闪存储器、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪存储器等。

一些集成电路存储器单元是易失性的，且需要电力来维持存储在单元中的数据。易失性存储器的实例包含动态随机存取存储器(DRAM)及静态随机存取存储器(SRAM)。

一些集成电路存储器单元是非易失性的，且可甚至在未供电时留存所存储的数据。非易失性存储器的实例包含快闪存储器、只读存储器(ROM)、可编程只读存储器(PROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)及电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)存储器等。快闪存储器包含与非(NAND)类型快闪存储器或或非(NOR)类型快闪存储器。NAND存储器单元基于NAND逻辑门；且NOR存储器单元基于NOR逻辑门。

交叉点存储器(例如，3D XPoint存储器)使用非易失性存储器单元阵列。交叉点存储器中的存储器单元是无晶体管的。此类存储器单元的每一者可具有相变存储器装置及选择装置，其一起堆叠为集成电路中的列。此类列的存储器单元在集成电路中经由在彼此垂直的方向上延伸的两层导线连接。两个层的一者在存储器单元上方；且另一层在存储器元件列下方。因此，可在两个层的每一者上的一个导线的交叉点处个别选择每一存储器单元。交叉点存储器装置是快速且非易失性的，且可用作统一的存储器集区进行处理及存储。

非易失性集成电路存储器单元可经编程以通过在编程/写入操作期间施加一个电压或电压模式到存储器单元而存储数据。编程/写入操作将存储器单元设定在对应于正在编程/存储到存储器单元中的数据的状态中。存储在存储器单元中的数据可在读取操作中通过检查存储器单元的状态来检索。读取操作通过施加电压确定存储器单元的状态，且确定存储器单元是否在对应于预定义状态的电压下变为导电的。

发明内容

本发明的一个方面涉及一种集成电路存储器装置，其包括：存储器单元；及耗尽型电压驱动器，其连接到所述存储器单元；其中在第一极性中，所述电压驱动器由相对于接地的负电压供电以驱动负选择电压或第一取消选择电压；其中在第二极性中，所述电压驱动器由相对于接地的正电压供电以驱动正选择电压或第二取消选择电压；且其中所述电压驱动器经配置以在所述第一极性与所述第二极性之间转变。