[发明专利]半导体管芯、半导体器件以及绝缘栅双极晶体管模块

权利要求书

1.一种半导体管芯，包括：

半导体本体(100)，其包括第一有源部分(191)和第二有源部分(192)，第一有源部分(191)包括第一源极区(111)，第二有源部分(192)包括第二源极区(112)；

栅极结构(150)，其从第一表面(101)延伸到半导体本体(100)中，其中栅极结构(150)具有沿着横向第一方向(291)的纵向栅极延伸(lg)；

第一负载焊盘(311)，其中第一负载焊盘(311)和第一源极区(111)被电连接；

第二负载焊盘(312)，其中第二负载焊盘(312)和第二源极区(112)被电连接，其中间隙(230)在横向上分离第一负载焊盘(311)和第二负载焊盘(312)，其中间隙(230)的在横向上的纵向延伸平行于第一方向(291)或者从第一方向(291)偏离不多于60度；以及

连接结构(390)，其电连接第一负载焊盘(311)和第二负载焊盘(312)，其中连接结构(390)被形成在从第一表面(101)延伸到半导体本体(100)中的凹槽中和/或被形成在形成于第一表面(101)上的布线层中。

2.根据前述权利要求所述的半导体管芯，其中，连接结构(390)包括延伸到半导体本体(100)中的沟槽连接结构(391)，沟槽连接结构(391)包括导电部分(395)和绝缘部分(399)，绝缘部分(399)将导电部分(395)与半导体本体(100)分离。

3.根据前述权利要求所述的半导体管芯，其中，沟槽连接结构(391)的纵向延伸平行于间隙(230)的纵向延伸而行进。

4.根据权利要求2所述的半导体管芯，其中，沟槽连接结构(391)的纵向延伸相对于间隙(230)的纵向延伸倾斜。

5.根据前述三项权利要求中的任何一项所述的半导体管芯，其中，连接结构(390)包括多个沟槽连接结构(391)。

6.根据前述四项权利要求中的任何一项所述的半导体管芯，进一步包括：

沟槽电极(165)，其延伸到半导体本体(100)中，其中沟槽连接结构(391)的导电部分(395)与沟槽电极(165)接触。

7.根据前述权利要求中的任何一项所述的半导体管芯，其中，间隙(230)具有与第一方向(291)正交的间隙宽度(wg)，并且其中间隙宽度(wg)为至少2μm。

8.根据前述权利要求所述的半导体管芯，其中，连接结构(390)具有沿着第二方向(292)的最大延伸(lc)，并且最大延伸(lc)至多是间隙宽度(wg)的十倍。

9.根据前述权利要求中的任何一项所述的半导体管芯，其中，连接结构(390)包括形成在半导体本体(100)上的连接线(392)，其中连接线(392)形成在间隙(230)外部。

10.根据前述权利要求中的任何一项所述的半导体管芯，进一步包括：

第一沟槽电极(165)，其被形成在第一有源部分(191)中并且延伸到半导体本体(100)中，其中第一沟槽电极(165)和第一负载焊盘(311)直接接触；

第二沟槽电极(165)，其被形成在第二有源部分(192)中并且延伸到半导体本体(100)中，其中第二沟槽电极(165)和第二负载焊盘(312)直接接触；

源极连接线(397)，其被形成在半导体本体(100)上，其中源极连接线(397)和第一沟槽电极(165)直接接触，其中源极连接线(397)和第二沟槽电极(165)直接接触，并且其中连接结构(390)包括源极连接线(397)的从第一沟槽电极(165)延伸到第二沟槽电极(165)的部分。