[发明专利]一种原子层沉积装置及原子层沉积方法

说明书

本发明涉及半导体集成技术领域，尤其涉及一种原子层沉积装置及原子层沉积方法。所述原子层沉积装置包括作业载台和箱体，作业载台为回转体，作业载台的侧壁上设置有至少两个独立设置的载片腔和用于间隔载片腔的间隔部，载片腔上设置有用于向载片腔内通气的气孔；箱体包括回转体容置部和至少两个独立设置在回转体容置部外侧的供源腔，回转体容置部套设在作业载台外；作业载台能够转动以使载片腔与供源腔相连通，便于供源腔向载片腔供给前驱体，或使间隔部遮盖供源腔的开口以隔断供源腔和载片腔，以便于对载片腔内的基片进行吹扫操作，从而将吹扫操作区和前驱体吸附区隔离开，减少吹扫时间，降低成本；且能够大大减少颗粒污染，提高产品良品率。

技术领域

本发明涉及半导体集成技术领域，尤其涉及一种原子层沉积装置及原子层沉积方法。

背景技术

采用原子层沉积技术(Atomic Layer Deposition，简称ALD)进行Al₂O₃薄膜工艺研究,获得85℃低温Al₂O₃薄膜ALD的最佳工艺条件。目前，通常可利用原子层沉积装置，例如以三甲基铝(TMA)和H₂O为前驱体以制备Al₂O₃薄膜，在半导体领域或薄膜封装领域均有应用。

然而，现有的原子层沉积装置吹扫清洗时间长，从而造成产品生产周期长，生产成本增加。现有技术中，不同的反应气体源通常是通在一个腔室内，造成成膜反应发生在腔室内壁或者在腔室的交界处，这些成膜积攒到一定程度会发生破碎脱落，产生较多的微纳颗粒，造成产品良率降低。

因此，亟待需要一种原子层沉积装置以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种原子层沉积装置，便于对基片进行吹扫操作，缩短吹扫时间，节约材料，缩短产品生产周期，降低成本；且能够大大减少颗粒污染，提高产品良品率。

为实现上述目的，提供以下技术方案：

一方面，提供了一种原子层沉积装置，包括：

作业载台，其为回转体，所述作业载台的侧壁上设置有至少两个独立设置的载片腔和用于间隔所述载片腔的间隔部，所述载片腔上设置有气孔，所述气孔用于向所述载片腔内通气以对所述载片腔内的基片进行吹扫操作；

箱体，包括回转体容置部和至少两个独立设置在所述回转体容置部外侧的供源腔，所述回转体容置部套设在所述作业载台外，所述供源腔能够向所述载片腔能够供给前驱体；

所述作业载台能够转动，以使所述载片腔与所述供源腔相连通，或使所述间隔部遮盖所述供源腔的开口。

作为所述原子层沉积装置的可选方案，所述载片腔和所述间隔部均为扇形，所述间隔部的圆心角不小于所述载片腔的圆心角。

作为所述原子层沉积装置的可选方案，所述供源腔的开口不大于所述载片腔的开口。

作为所述原子层沉积装置的可选方案，所述供源腔为扇形，所述供源腔的圆心角等于所述载片腔的圆心角。

作为所述原子层沉积装置的可选方案，至少两个所述载片腔均匀间隔设置，且至少两个所述供源腔均匀间隔设置在所述回转体容置部外侧。

作为所述原子层沉积装置的可选方案，所述原子层沉积装置还包括上盖，所述上盖盖设在所述作业载台的顶面上，且所述上盖上设置有与所述气孔相连通的进气管。

作为所述原子层沉积装置的可选方案，所述原子层沉积装置还包括下盖，所述下盖盖设在所述作业载台的底面上，且所述下盖上设置有与所述气孔相连通的出气管。

作为所述原子层沉积装置的可选方案，所述作业载台的底面上设置有转轴，所述下盖上设置有通孔，所述转轴能够从所述通孔处穿出，所述转轴用于与旋转驱动器相连接。