[发明专利]一种目标单晶生长装置及方法

权利要求书

1.一种目标单晶生长装置，其特征在于，包括：反应室、坩埚、加热器和单晶生长模块，其中，所述反应室为密闭的，所述坩埚位于所述反应室内，所述加热器用于对所述坩埚加热，所述坩埚用于放置目标液体，所述单晶生长模块的一端位于所述坩埚内的目标液体中；

所述单晶生长模块包括籽晶夹持器、籽晶杆、目标籽晶和导模板，其中，所述导模板的一端位于所述坩埚内的目标液体中，所述导模板的另一端位于所述坩埚的目标液体外，所述籽晶夹持器的一端与所述籽晶杆的一端连接，所述籽晶杆的另一端与所述目标籽晶的一端连接，所述目标籽晶的另一端位于所述导模板的预设范围内，所述导模板的另一端上部平台的两侧涂覆一层不浸润材料。

2.根据权利要求1所述的目标单晶生长装置，其特征在于，所述目标单晶包括GaAs、InP、Ge和LiNbO₃。

3.根据权利要求1所述的目标单晶生长装置，其特征在于，还包括坩埚旋转轴，所述坩埚旋转轴的一端与所述坩埚连接，所述坩埚旋转轴的另一端与动力装置连接。

4.根据权利要求1所述的目标单晶生长装置，其特征在于，所述坩埚的材料为氮化硼、氧化镁、氧化铝、石墨、铱、钼和钨中的一种。

5.根据权利要求1所述的目标单晶生长装置，其特征在于，所述导模板的材料为石墨、石英和氧化铝中的一种。

6.一种基于权利要求1至5任一所述的目标单晶生长装置的目标单晶生长方法，其特征在于，包括：

向所述反应室内通入保护性气体至预设压力状态，通过所述加热器将所述坩埚加热至预设温度，使得所述坩埚内的目标晶体沿着导模板的毛细管壁向上爬升，确定所述目标溶液停留在所述导模板的平台上；

所述导模板的平台两侧涂覆的不浸润材料挤压平台上的目标溶液；

所述籽晶夹持器通过所述籽晶杆控制所述籽晶上下运动，所述导模板平台上的目标溶液不断地沉积在所述籽晶上；

若所述籽晶上生长的目标单晶高度达到预设高度时，向所述反应室内通入所述保护性气体，待所述反应室内的温度冷却至室温，取出目标单晶。

7.根据权利要求6所述的目标单晶生长方法，其特征在于，还包括：

对所述目标单晶进行划片，划制出预设尺寸的单晶片以待后面进行晶圆检测。

8.根据权利要求6所述的目标单晶生长方法，其特征在于，还包括：

通过所述坩埚旋转轴使所述坩埚转动。

9.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现如权利要求6至8任一项所述目标单晶生长方法的步骤。

10.一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现如权利要求6至8任一项所述目标单晶生长方法的步骤。