[发明专利]二维材料限域掺杂条件下HMX/ANPyO共晶的制备方法有效
| 申请号： | 202011135085.6 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112266311B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 严启龙;薛智华;张雪雪;黄彬彬;何伟 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C06B25/34 | 分类号： | C06B25/34;C06B21/00 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二维 材料 掺杂 条件下 hmx anpyo 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种二维材料限域掺杂条件下HMX/ANPyO共晶的制备方法，其特征在于步骤如下：
步骤1：将TAGN加入到DMSO中形成饱和溶液，加热到25～140℃，搅拌至TAGN完全溶解；
步骤2：将HMX、ANPyO加入到步骤1制备的溶液中,在25～140℃温度下搅拌0.5～1.5h，至HMX和ANPyO完全溶解；所述TAGN与HMX的摩尔比为1:3～1:7；所述HMX与ANPyO的摩尔比为2:1至8:1；
步骤3：再加入乙二醛，在加热70～150℃条件下搅拌0.5～1h形成二维共轭结构材料；
步骤4：继续在搅拌条件下加入体积为步骤1中的DMSO二倍的蒸馏水，析出固体产物；
步骤5：将步骤4得到的固体产物真空干燥或抽滤、干燥得到二维材料限域掺杂条件下HMX/ANPyO共晶。
2.根据权利要求1所述二维材料限域掺杂条件下HMX/ANPyO共晶的制备方法，其特征在于：所述奥克托金HMX替换为硝胺炸药黑索金RDX、双环奥克托今BCHMX或六硝基六氮杂异伍兹烷CL-20中的一种。
3.根据权利要求1所述二维材料限域掺杂条件下HMX/ANPyO共晶的制备方法，其特征在于：所述步骤4中加蒸馏水时温度为140℃或室温。
4.根据权利要求1所述二维材料限域掺杂条件下HMX/ANPyO共晶的制备方法，其特征在于：所述步骤4中搅拌速率为1000r/min。
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