[发明专利]显示面板及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202011135954.5 申请日: 2020-10-22
公开(公告)号: CN112289834A 公开(公告)日: 2021-01-29
发明(设计)人: 赵舒宁 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 远明
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 显示 面板 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:

衬底;

薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层设于所述衬底上,所述薄膜晶体管层包括:

栅极层,所述栅极层设于所述衬底上;

绝缘层,所述绝缘层设于所述栅极层上;

有源层,所述有源层设于所述绝缘层上;

源漏极层,所述源漏极层包括源极和漏极,所述源极和所述漏极分别与所述有源层的两侧接触设置,所述源极和所述漏极还设于所述绝缘层上;

第一电极,所述第一电极和所述源漏极层同层设置,所述第一电极设于所述源极远离所述漏极的一侧,或者所述第一电极设于所述漏极远离所述源极的一侧。

2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,当所述第一电极设于所述源极远离所述漏极的一侧时,所述第一电极和所述源极一体成型;当所述第一电极设于所述漏极远离所述源极的一侧时,所述第一电极和所述漏极一体成型。

3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,当所述第一电极和所述源极或者和所述漏极一体成型时,所述第一电极和所述源漏极层均为单层膜层,所述单层膜层的组成材料包括铝、铜或者氧化铟锡。

4.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,当所述第一电极和所述源极或者和所述漏极一体成型时,所述第一电极和所述源漏极层均为复合膜层,所述复合膜层包括钼/铝/钼层、铝/钼层、铝/氧化铟锡层、钼/铜层、钼钛合金/铜层、铜/氧化铟锡层中的一种。

5.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,当所述第一电极设于所述源极远离所述漏极的一侧时,所述第一电极和所述源极之间具有间隙;当所述第一电极设于所述漏极远离所述源极的一侧时,所述第一电极和所述漏极之间具有间隙。

6.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,当所述第一电极和所述源漏极层之间具有间隙时,所述第一电极的组成材料和所述源漏极层的组成材料不相同或者相同。

7.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:

钝化层,所述钝化层设于所述薄膜晶体管层和所述第一电极上;

通孔,所述通孔设于所述钝化层上,所述通孔与所述第一电极相对设置;

发光层,所述发光层设于所述通孔中,所述发光层和所述第一电极电性连接。

8.如权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:

第二电极,所述第二电极设于所述发光层上,所述第二电极和所述发光层电性连接,所述第二电极和所述第一电极之间具有电压差,使得所述发光层发光。

9.一种显示面板的制作方法,其特征在于,所述方法包括:

提供一衬底;

在所述衬底上形成薄膜晶体管层和第一电极,所述薄膜晶体管层包括栅极层、绝缘层、有源层和源漏极层,所述栅极层设于所述衬底上,所述绝缘层设于所述栅极层上,所述有源层设于所述绝缘层上,所述源漏极层包括源极和漏极,所述源极和所述漏极分别和所述有源层的两侧接触设置,所述源极和所述漏极还设于所述绝缘层上,所述第一电极和所述源漏极层同层设置,所述第一电极设于所述源极远离所述漏极的一侧,或者所述第一电极设于所述漏极远离所述源极的一侧。

10.如权利要求9所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述衬底上形成薄膜晶体管层和第一电极,所述薄膜晶体管层包括栅极层、绝缘层、有源层和源漏极层,所述栅极层设于所述衬底上,所述绝缘层设于所述栅极层上,所述有源层设于所述绝缘层上,所述源漏极层包括源极和漏极,所述源极和所述漏极分别和所述有源层的两侧接触设置,所述源极和所述漏极还设于所述绝缘层上,所述第一电极和所述源漏极层同层设置,所述第一电极设于所述源极远离所述漏极的一侧,或者所述第一电极设于所述漏极远离所述源极的一侧的步骤之后,包括:

在所述薄膜晶体管层和所述第一电极上形成钝化层;

在所述钝化层上形成通孔,所述通孔与所述第一电极相对设置;

在所述通孔中形成发光层,所述发光层和所述第一电极电性连接。

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