[发明专利]LED显示面板和LED显示装置有效
申请号: | 202011135981.2 | 申请日: | 2020-10-22 |
公开(公告)号: | CN112117296B | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 徐惠能;洪荣辉;朱卫平;张奎麟 | 申请(专利权)人: | 厦门强力巨彩光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/50;H01L33/58;G09F9/33 |
代理公司: | 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 | 代理人: | 吴圳添 |
地址: | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种LED显示面板,其特征在于,包括:
对置基板和阵列基板;
多个LED像素组,所述LED像素组位于所述对置基板和阵列基板之间,所述LED像素组具有像素总面积;
每个所述LED像素组包括红色LED像素单元、绿色LED像素单元和蓝色LED像素单元;
所述红色LED像素单元具有第一像素面积;
所述绿色LED像素单元具有第二像素面积;
所述蓝色LED像素单元具有第三像素面积;
所述第一像素面积占所述像素总面积的0.618。
2.根据权利要求1所述的LED显示面板,其特征在于,所述第二像素面积和所述第三像素面积相等;
所述红色LED像素单元包括第一LED发光叠层和红色量子点转换层;所述第一LED发光叠层位于所述阵列基板;所述红色量子点转换层位于所述对置基板,所述红色量子点转换层位于所述第一LED发光叠层上方;
所述绿色LED像素单元包括第二LED发光叠层和绿色量子点转换层;所述第二LED发光叠层位于所述阵列基板;所述绿色量子点转换层位于所述对置基板,所述绿色量子点转换层位于所述第二LED发光叠层上方;
所述蓝色LED像素单元包括第三LED发光叠层和蓝色量子点转换层;所述第三LED发光叠层位于所述阵列基板;所述蓝色量子点转换层位于所述对置基板,所述蓝色量子点转换层位于所述第三LED发光叠层上方;
所述对置基板下表面具有黑矩阵层,在俯视投影上,所述红色量子点转换层、绿色量子点转换层和蓝色量子点转换层位于所述黑矩阵层的开口位置。
3.根据权利要求1所述的LED显示面板,其特征在于,所述第二像素面积是所述第三像素面积的1.5倍至2倍;
所述红色LED像素单元包括第一LED发光叠层和红色量子点转换层;所述第一LED发光叠层位于所述阵列基板;所述红色量子点转换层位于所述对置基板,所述红色量子点转换层位于所述第一LED发光叠层上方;
所述绿色LED像素单元包括第二LED发光叠层和绿色量子点转换层;所述第二LED发光叠层位于所述阵列基板;所述绿色量子点转换层位于所述对置基板,所述绿色量子点转换层位于所述第二LED发光叠层上方;
所述蓝色LED像素单元包括第三LED发光叠层;所述第三LED发光叠层位于所述阵列基板;
所述对置基板还包括黑矩阵层,在俯视投影上,所述红色量子点转换层和绿色量子点转换层位于所述黑矩阵层的开口位置。
4.根据权利要求2或3所述的LED显示面板,其特征在于:
所述第一像素面积包括第一发光面积和包围所述第一发光面积的第一遮光面积;
所述第二像素面积包括第二发光面积和包围所述第二发光面积的第二遮光面积;
所述第三像素面积包括第三发光面积和包围所述第三发光面积的第三遮光面积;
所述第一发光面积为所述第二发光面积的2.5倍至3.5倍。
5.根据权利要求2或3所述的LED显示面板,其特征在于,所述黑矩阵层下表面具有对置遮光层;所述阵列基板具有阵列遮光层;所述阵列遮光层隔开所述第一LED发光叠层、第二LED发光叠层和第三LED发光叠层,所述对置遮光层和所述阵列遮光层上下相对。
6.根据权利要求2所述的LED显示面板,其特征在于,所述对置基板下表面还具有位于所述黑矩阵层开口位置的红色滤光层、绿色滤光层和蓝色滤光层;所述红色滤光层位于所述红色量子点转换层和所述对置基板下表面之间;所述绿色滤光层位于所述绿色量子点转换层和所述对置基板下表面之间;所述蓝色滤光层位于所述蓝色量子点转换层和所述对置基板下表面之间。
7.根据权利要求1所述的LED显示面板,其特征在于,所述像素总面积、第一像素面积、第二像素面积和第三像素面积为矩形面积;所述第二像素面积和第三像素面积组成的面积与所述第一像素面积的一边重合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的