[发明专利]一种低缺陷密度碳化硅单晶衬底的制备方法

权利要求书

1.一种低缺陷密度碳化硅单晶衬底的制备方法，其特征在于，包括：

提供一待处理的碳化硅单晶衬底，晶向为C向；

使用电解研磨工艺于所述待处理的碳化硅单晶衬底上形成具有凹部和凸部的第一沟槽结构，以进行第一次开槽，所述第一沟槽结构的凹部侧壁平行于碳化硅单晶A面或M面，底壁平行于碳化硅单晶C面；

于所述第一沟槽结构表面生长第一碳化硅晶体，以进行第一次修复，得到所述低缺陷密度碳化硅单晶衬底;

使用所述电解研磨工艺去除所述第一沟槽结构的凸部及其表面的第一碳化硅单晶而形成第二沟槽结构，以进行第二次开槽，所述第二沟槽结构的凹部的侧壁平行于碳化硅单晶A面或M面，底壁平行于碳化硅单晶C面；

于所述第二沟槽结构表面生长第二碳化硅晶体，以进行第二次修复。

2.根据权利要求1所述的低缺陷密度碳化硅单晶衬底的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括对所述第二碳化硅晶体进行表面打磨的过程，以平整第二次修复后的碳化硅单晶衬底。

3.根据权利要求1~2任意一项所述的低缺陷密度碳化硅单晶衬底的制备方法，其特征在于，所述低缺陷密度碳化硅单晶衬底的晶向为C向[0001]与A向存在0°至20°夹角。

4.根据权利要求1所述的低缺陷密度碳化硅单晶衬底的制备方法，其特征在于，所述待处理的碳化硅单晶衬底的直径为100mm至250mm。

5.根据权利要求1所述的低缺陷密度碳化硅单晶衬底的制备方法，其特征在于，所述电解研磨工艺包括在所述碳化硅单晶衬底和磨头之间，加载至少一组频率电场，同时磨头端口有研磨液流出。

6.根据权利要求5所述的低缺陷密度碳化硅单晶衬底的制备方法，其特征在于，频率电场是频率为0Hz至1KHz的电场。

7.根据权利要求1所述的低缺陷密度碳化硅单晶衬底的制备方法，其特征在于，所述电解研磨纵向进给与所述碳化硅单晶衬底的C向平行，横向进给与A向或M向平行。

8.根据权利要求1所述的低缺陷密度碳化硅单晶衬底的制备方法，其特征在于，所述第一沟槽结构的凹部，和/或所述第二沟槽结构的凹部深宽比大于等于2。

9.根据权利要求1所述的低缺陷密度碳化硅单晶衬底的制备方法，其特征在于，通过液相外延生长或物理气相沉积法生长第一碳化硅晶体和/或第二碳化硅晶体。