[发明专利]基片处理方法和基片处理装置

权利要求书

1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：

对液浸曝光处理后的、具有未形成图案的抗蚀剂膜的基片的表面，供给水溶性聚合物的溶液的工序；

用供给的所述水溶性聚合物的溶液，使所述抗蚀剂膜的表面亲水化的工序；

在所述亲水化的工序后，一边使所述基片旋转，一边对该基片的表面供给清洗液，将对亲水化没有贡献的水溶性聚合物的水溶液除去的工序；和

使被供给了所述清洗液的所述基片干燥的工序，

所述水溶性聚合物的溶液具有使所述抗蚀剂膜的酸的浓度处于容许范围内的pH值。

2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：

作为处理对象的所述基片是液浸曝光处理后的基片，并且是在所述液浸曝光处理与显影处理之间进行的曝光后热处理前的基片。

3.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：

所述水溶性聚合物的溶液的pH值为5～9。

4.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：

所述水溶性聚合物的溶液的溶剂是水，不包含有机溶剂。

5.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：

所述水溶性聚合物的溶液添加有表面活性剂。

6.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：

所述清洗液是水。

7.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：

所述供给清洗液的工序和所述使基片干燥的工序同时并行地进行，

在该工序中，一边使供给喷嘴移动使得来自该供给喷嘴的所述清洗液的着液点从基片中央向基片周缘移动，一边供给从该供给喷嘴向基片外侧释放的所述清洗液。

8.如权利要求7所述的基片处理方法，其特征在于：

在供给所述清洗液时，伴随所述供给喷嘴的移动，降低所述基片的转速。

9.如权利要求7所述的基片处理方法，其特征在于：

在供给所述清洗液时，使所述供给喷嘴移动，使得所述着液点到达所述基片的周缘的斜面。

10.如权利要求9所述的基片处理方法，其特征在于：

所述供给喷嘴的所述清洗液的释放角度，相对于基片周缘的斜面向该基片的表面的相反侧倾斜。

11.一种处理液浸曝光处理后的基片的基片处理装置，其特征在于：

所述基片在表面具有未形成图案的抗蚀剂膜，

该基片处理装置包括：

保持所述基片的基片保持部；

使所述基片保持部旋转的旋转机构；

对所述基片保持部所保持的所述基片供给水溶性聚合物的水溶液的溶液供给喷嘴；

对所述基片保持部所保持的所述基片供给清洗液的清洗液供给喷嘴；和

控制部，其构成为能够控制所述旋转机构、从所述溶液供给喷嘴进行的供给和从所述清洗液供给喷嘴进行的供给，

所述控制部构成为能够进行控制，使得执行如下工序：

对所述基片的表面供给水溶性聚合物的溶液的工序；

用供给的所述水溶性聚合物的溶液，使所述抗蚀剂膜的表面亲水化的工序；

在所述亲水化的工序后，一边使所述基片旋转，一边对该基片的表面供给清洗液，将对亲水化没有贡献的水溶性聚合物的水溶液除去的工序；和

使被供给了所述清洗液的所述基片干燥的工序，

所述水溶性聚合物的溶液具有使所述抗蚀剂膜的酸的浓度处于容许范围内的pH值。