[发明专利]一种降低封装芯片IO接口损伤的方法

权利要求书

1.一种降低封装芯片IO接口损伤的方法，其特征在于，制作芯片封装体，依次对所述芯片封装体正对芯片IO接口的位置进行激光开孔和干蚀刻处理，使所述芯片IO接口外露，然后将所述芯片IO接口电性引出。

2.根据权利要求1所述的降低封装芯片IO接口损伤的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10a、提供芯片和载板，将芯片正面朝向所述载板并贴于所述载板上，然后进行塑封；

S10b、拆键合，然后在键合面贴覆介电层，制得芯片封装体；

S10c、对所述芯片封装体的所述芯片IO接口进行定位处理，然后对所述介电层正对芯片IO接口的位置进行激光开孔，残留覆盖所述芯片IO接口的部分介电层，然后对残留的所述介电层进行干蚀刻处理，使所述芯片IO接口外露；

S10d、将所述芯片IO接口电性引出。

3.根据权利要求1所述的降低封装芯片IO接口损伤的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S20a、提供芯片和载板，将芯片背面朝向所述载板并贴于所述载板上，然后进行塑封，形成包覆所述芯片的塑封层；

S20b、对所述塑封层进行研磨减薄处理，然后贴覆介电层，制得芯片封装体；

S20c、对所述芯片封装体的所述芯片IO接口进行定位处理，然后对所述介电层正对芯片IO接口的位置进行激光开孔，残留覆盖所述芯片IO接口的部分介电层，然后对残留的所述介电层进行干蚀刻处理，使所述芯片IO接口外露；

S20d、将所述芯片IO接口电性引出。

4.根据权利要求2或3任一项所述的降低封装芯片IO接口损伤的方法，其特征在于，根据激光开孔速度控制激光开孔时间，使残留的覆盖所述芯片IO接口的所述介电层的厚度为1～2μm。

5.根据权利要求1所述的降低封装芯片IO接口损伤的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S30a、提供芯片和载板，将芯片背面朝向所述载板并贴于所述载板上，然后进行塑封，形成包覆所述芯片的塑封层，制得芯片封装体；

S30b、对所述芯片封装体的所述芯片IO接口进行定位处理，然后对所述塑封层正对芯片IO接口的位置进行激光开孔，残留覆盖所述芯片IO接口的部分塑封层，然后对残留的所述塑封层进行干蚀刻处理，使所述芯片IO接口外露；

S30d、将所述芯片IO接口电性引出。

6.根据权利要求5所述的降低封装芯片IO接口损伤的方法，其特征在于，根据激光开孔速度控制激光开孔时间，使残留的覆盖所述芯片IO接口的塑封层的厚度为1～2μm。