[发明专利]非易失性半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性半导体存储装置，具备：

多个第一布线层，沿第一方向延伸；

多个第二布线层，沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸，在与所述第一方向以及所述第二方向交叉的第三方向上，设于所述多个第一布线层的上方；

多个第三布线层，沿所述第二方向延伸，在所述第三方向上，设于所述多个第二布线层的上方；

第一存储单元，在所述多个第二布线层与所述多个第一布线层的交叉部分，配置于所述第二布线层与所述第一布线层之间，并具有第一电阻变化膜；

多个第四布线层，沿所述第一方向延伸，在所述第三方向上，设于所述多个第三布线层的上方；以及

第二存储单元，在所述多个第四布线层与所述多个第三布线层的交叉部分，配置于所述第四布线层与所述第三布线层之间，具有第二电阻变化膜，

所述第二布线层与所述第三布线层的层叠结构在其层叠界面处在所述第一方向上具有凹陷结构。

2.如权利要求1所述的非易失性半导体存储装置，其中，

所述凹陷结构被配置在与所述第三布线层相接的所述第二布线层的上部。

3.如权利要求1所述的非易失性半导体存储装置，其中，

所述凹陷结构被配置在与所述第二布线层相接的所述第三布线层的下部。

4.如权利要求1所述的非易失性半导体存储装置，其中，

所述凹陷结构被配置在与所述第三布线层相接的所述第二布线层的上部和与所述第二布线层相接的所述第三布线层的下部这两者。

5.如权利要求1所述的非易失性半导体存储装置，其中，

还具有设置于所述第二布线层与所述第三布线层之间的金属层，

所述凹陷结构被配置在设置于所述第二布线层与所述第三布线层之间的所述金属层的侧壁。

6.如权利要求1～5中任一项所述的非易失性半导体存储装置，其中，

所述凹陷结构具备选自椭圆形状、半圆形状、U字形状、三角形状、矩形形状或多边形形状的组中的任一形状、或这些形状的组合。

7.如权利要求2或4所述的非易失性半导体存储装置，其中，

所述第二布线层具有所述第二布线层的表面中的与所述第三布线层相接的上侧的第一面、和从所述第一方向上所述第一面的外侧周边沿着所述第一方向且所述第三方向朝外侧延伸的第二面，

所述第三布线层具有所述第三布线层的表面中的与所述第二布线层的所述第一面的内侧周边相接的第三面，所述第三面在所述第一方向上比所述第一面长。

8.如权利要求7所述的非易失性半导体存储装置，其中，

所述第二布线层还具有第四面，所述第四面从所述第一面的内侧周边沿所述第一方向且所述第三方向朝外侧延伸，所述第四面隔着所述第一面位于与所述第二面在所述第一方向上相反的一侧。

9.如权利要求7所述的非易失性半导体存储装置，其中，

在所述第二面上设有绝缘膜。

10.如权利要求8所述的非易失性半导体存储装置，其中，

所述第三面在所述第一方向上具有一端和另一端，所述第四面在所述第一方向上位于所述一端与所述另一端之间。

11.如权利要求8所述的非易失性半导体存储装置，其中，

在所述第三面与所述第四面之间设有绝缘膜。

12.如权利要求1所述的非易失性半导体存储装置，其中，

所述第一布线层、所述第二布线层以及所述第三布线层具有选自W、Mo、多晶硅、Ni、Co、Ti以及Cu的组中的任一种材料、任一种的硅化物材料或者任一种的氮化物材料。