[发明专利]半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 202011137845.7 | 申请日： | 2020-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN112309871A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 王雷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
对第一目标区域的多晶硅层和氧化层进行刻蚀，直至所述第一目标区域的衬底暴露，剩余的多晶硅层形成所述半导体器件的栅极，剩余的氧化层形成所述半导体器件的栅氧，所述氧化层形成于所述衬底上，所述多晶硅层形成于所述氧化层上；
在所述衬底和所述栅极的表面第一次形成BARC；
去除第二目标区域的BARC，对所述第二目标区域进行第一次离子注入，在所述第二目标区域的衬底中形成第一掺杂区；
在所述衬底和所述栅极的表面第二次形成BARC；
去除第三目标区域的BARC，对所述第三目标区域进行第二次离子注入，在所述第三目标区域的衬底中形成第二掺杂区。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底和所述栅极的表面第一次形成BARC之后，还包括：
对所述BARC进行回刻蚀。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底和所述栅极的表面第二次形成BARC之后，包括：
对所述BARC进行回刻蚀。
4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述第一次离子注入的离子和所述第二次离子注入的离子的类型相同；
当所述第一次离子注入的离子包括P型离子时，所述第二次离子注入的离子包括P型离子；当所述第一次离子注入的离子包括N型离子时，所述第二次离子注入的离子包括N型离子。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂区为所述半导体器件的源区，所述第二掺杂区为所述半导体器件的漂移区。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区为所述半导体器件的LDD区。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂区为所述半导体器件的源区，所述第二掺杂区为所述半导体器件的漏区。
8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂区为所述半导体器件的漏区，所述第二掺杂区为所述半导体器件的源区。
9.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述半导体器件为CMOS器件。
10.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述方法应用于PMIC的制作工艺中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011137845.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：混凝土管道内壁检测系统
- 下一篇：一种果实功能因子提取设备及其提取方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
