[发明专利]半导体功率模块在审
申请号: | 202011138295.0 | 申请日: | 2020-10-22 |
公开(公告)号: | CN112750800A | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 谷昌和;高滨修一 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/49;H01L23/544;H01L25/07 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈力奕;宋俊寅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 功率 模块 | ||
1.一种半导体功率模块,包括:
第一电极;
多个半导体元件,该多个半导体元件彼此并联连接且与所述第一电极的上表面相接合;
电极端子,该电极端子用于将所述第一电极与第一外部电部件进行连接;
第二电极,该第二电极与所述多个半导体元件的上表面相接合;
第二电极延伸部,该第二电极延伸部用于将所述第二电极与第二外部电部件进行连接;
信号焊盘,该信号焊盘设置于所述半导体元件;以及
信号端子,该信号端子通过导线与所述信号焊盘进行连接,所述半导体功率模块的特征在于,
在所述多个半导体元件的每一个中,从所述电极端子到所述半导体元件为止的所述第一电极中的电流路径长度、与从所述半导体元件到第二电极端子部为止的所述第二电极中的电流路径长度之和成为相同。
2.如权利要求1所述的半导体功率模块,其特征在于,
通过对设置于所述第二电极延伸部两侧的狭缝部的形状和尺寸进行调整,从而使得在所述多个半导体元件的每一个中,从所述电极端子到所述半导体元件为止的所述第一电极中的电流路径长度、与从所述半导体元件到所述第二电极端子部为止的所述第二电极中的电流路径长度之和成为相同。
3.如权利要求1或2所述的半导体功率模块,其特征在于,
所述电极端子和所述第二电极延伸部向相同方向引出,并且所述信号端子向与引出所述电极端子和所述第二电极延伸部的所述方向相反的方向引出。
4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体功率模块,其特征在于,
所述电极端子由两个构件构成,并且两个所述电极端子配置成以第二电极为中心位于彼此对称的位置。
5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体功率模块,其特征在于,
所述半导体元件中的至少一个半导体元件安装有温度检测传感器。
6.如权利要求1至4中任一项所述的半导体功率模块,其特征在于,
热敏电阻安装于所述半导体元件中的至少一个半导体元件的上表面或所述第二电极的上表面。
7.如权利要求1至6中任一项所述的半导体功率模块,其特征在于,
所述半导体元件中的至少一个半导体元件安装有电流检测传感器。
8.如权利要求1至4中任一项所述的半导体功率模块,其特征在于,
所述半导体元件中的至少一个半导体元件安装有电流检测传感器,并且所述半导体元件中的至少一个半导体元件安装有温度检测传感器,
安装有所述温度检测传感器的所述半导体元件、与安装有所述电流检测传感器的所述半导体元件配置在隔着所述第二电极的中心线彼此相反的相反侧。
9.如权利要求1至8中任一项所述的半导体功率模块,其特征在于,
所述导线配置成与流过所述第二电极的电流的方向正交。
10.如权利要求1至9中任一项所述的半导体功率模块,其特征在于,
所述信号焊盘配置成与位于最靠近所述半导体元件的位置的所述第一电极的外周边相对。
11.如权利要求1至10中任一项所述的半导体功率模块,其特征在于,
通过传递模塑将所述半导体元件的结构构件进行密封。
12.如权利要求1至11中任一项所述的半导体功率模块,其特征在于,
所述第一电极具有由铜-陶瓷-铜层构成的结构。
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