[发明专利]一种单面施釉还青勾瓦烧成工艺在审
申请号: | 202011138608.2 | 申请日: | 2020-10-22 |
公开(公告)号: | CN113636828A | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
发明(设计)人: | 唐克勇 | 申请(专利权)人: | 唐克勇 |
主分类号: | C04B33/13 | 分类号: | C04B33/13;C04B33/04;C04B33/34;C03C8/00;C04B41/86 |
代理公司: | 长沙智德知识产权代理事务所(普通合伙) 43207 | 代理人: | 陈铭浩 |
地址: | 419100 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 单面 施釉还青勾瓦 烧成 工艺 | ||
1.一种单面施釉还青勾瓦烧成工艺,其特征在于,具体工艺步骤如下:
步骤1、制粉:将红页岩和红黏土采用磨粉机进行粉碎,过150-200目筛,得到坯体粉料;
步骤2、发酵:将步骤1得到的坯体粉料加水进行发酵,发酵放置时间为48-54h,得到发酵物料;
步骤3、压制成型:将步骤2得到的发酵物料注入模具中,压制成坯,脱模,得到坯体;
步骤4、烘干:将步骤3得到的坯体烘干至含水率至1.5-2%,得到瓦坯;
步骤5、施釉:采用釉料涂布于瓦坯反面,再经干燥,得到施釉瓦坯;
步骤6、烧成:将步骤5得到的施釉瓦坯转入辊道窑中进行烧成,烧成气氛为强还原气氛,烧成温度控制在1000-1100℃,烧成时间为45-60min,最后进入蒸汽隔氧冷却阶段,温度冷却至室温,得到单面施釉勾瓦。
2.根据权利要求1所述的一种单面施釉还青勾瓦烧成工艺,其特征在于,所述红页岩和红黏土之间的质量比为1:2-3。
3.根据权利要求1所述的一种单面施釉还青勾瓦烧成工艺,其特征在于,所述步骤3中压制条件为:压力为62-65MPa,温度为100-110℃,保温保压时间为35-40min。
4.根据权利要求1所述的一种单面施釉还青勾瓦烧成工艺,其特征在于,所述步骤5采用釉料的原料组成以质量份数计:石灰石10-15份、钾长石25-30份、高岭土2-5份、石英7-9份、色料5-10份、纳米二氧化硅60-80份、异丙醇铝溶液10-15份、水50-55份。
5.根据权利要求4所述的一种单面施釉还青勾瓦烧成工艺,其特征在于,所述色料包括梅子青、孔雀绿、钴蓝、镨黄、大红色料中的一种。
6.根据权利要求4所述的一种单面施釉还青勾瓦烧成工艺,其特征在于,所述釉料的制备方法是:将上述各组分按质量份数称重,直接放入球磨机中进行球磨,球磨时间为25-30h,得到釉料。
7.根据权利要求1所述的一种单面施釉还青勾瓦烧成工艺,其特征在于,所述步骤5中釉料涂布厚度为0.1-0.2mm。
8.根据权利要求1所述的一种单面施釉还青勾瓦烧成工艺,其特征在于,所述步骤5中干燥温度为350-400℃,时间为20-30min。
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