[发明专利]包括LED的发射显示装置

权利要求书

1.一种包括LED的发射显示装置，所述发射显示装置包括多个像素，每个像素包括：

-基本控制单元(CTRL)，其形成在半导体衬底(101)的内部和顶部上；

-能够以第一波长范围发射的第一LED(LG)，其布置在所述基本控制单元的上表面上，并且具有连接到所述基本控制单元的第一连接焊盘(AG)的第一导电区域；以及

-能够以第二波长范围发射的第二LED(LR)，其表面积小于所述第一LED的表面积，并且与所述第一LED的中心区域相对地布置在所述第一LED的上表面上，并且具有第一导电区域，该第一导电区域经由穿过所述第一LED的第一导电通孔(VR)连接到所述基本控制单元的第二连接焊盘(AR)，

其中，每个像素包括：金属外围壁(150)，其完全围绕所述像素，并且在所述像素的LED的整个高度上延伸，

并且其中，在每个像素中，每个LED具有连接到所述像素的所述金属外围壁(150)的第二导电区域。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，每个像素还包括：能够以第三波长范围发射的第三LED(LB)，其表面积小于所述第二LED的表面积，与所述第二LED的中心区域相对地布置在所述第二LED的上表面上，并且具有第一导电区域，该第一导电区域经由穿过所述第一LED和所述第二LED的第二导电通孔(VB)连接到所述基本控制单元的第三连接焊盘(AB)。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述外围壁(150)反射由每个LED发射的光，并且形成引导由每个LED发射的光的镜面。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，每个LED包括叠层，所述叠层从所述半导体衬底(101)的上表面按顺序包括：形成LED的所述第一导电区域的第一导电类型的第一掺杂半导体层(105、117、129)、有源层(107、119、131)以及形成LED的所述第二导电区域的第二导电类型的第二掺杂半导体层(109、121、133)。

5.根据权利要求4所述的装置，其中，在每个像素中，每个LED通过其第二半导体层(109、121、133)的侧面连接到所述像素的所述金属外围壁(150)。

6.根据权利要求4所述的装置，其中，在每个像素中，每个LED具有第一半导体层(105、117、129)，通过该第一半导体层的下表面与在所述LED的整个表面下方延伸的金属层(111、123、135)接触。

7.根据权利要求6所述的装置，其中，对于每个LED，与LED的第一半导体层(105、117、129)的下表面接触的所述金属层(111、123、135)是反射层，该反射层形成引导由每个LED发射的光的镜面。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，LED的第一导电区域(105、117、129)和第二导电区域(109、121、133)分别是阳极区域和阴极区域。

9.根据权利要求1所述的装置，其中，每个像素包括：透明介电区域(154)，其覆盖所述第一LED(LG)的未被所述第二LED(LR)覆盖的外围部分。

10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一LED(LG)在所述第一LED(LG)的未被所述第二LED(LR)覆盖的外围部分中具有纳米结构，所述纳米结构能够有利于提取由所述第一LED(LG)发射的光。

11.一种制造根据权利要求1所述的包括LED的所述发射显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：

-将第一有源LED叠层(SG)布置在包括所述装置的所述基本控制单元(CTRL)的集成控制电路(CC)的上表面上，使得所述第一有源LED叠层(SG)在所述集成控制电路(CC)的整个表面上连续地延伸；

-在所述第一有源LED叠层(SG)中形成横向界定所述装置的所述第一LED(LG)的沟槽；

-将第二有源LED叠层(SR)布置在包括所述集成控制电路(CC)和所述第一LED(LG)的组件的上表面上，使得所述第一有源LED叠层(SR)在所述集成控制电路(CC)的所述整个表面上连续地延伸；以及

-在所述第二有源LED叠层(SR)中形成横向界定所述装置的所述第二LED(LR)的沟槽。