[发明专利]一种快速生长InSb单晶的方法

权利要求书

1.一种快速生长InSb单晶的方法，其特征在于：所述方法包括引晶晶锭的选择、引晶晶锭的处理和引晶过程，具体步骤如下：

一、首先选取一个InSb单晶晶锭作为引晶晶锭，引晶晶锭由两部分组成：一是籽晶方柱；二是引晶晶锭具有满足放肩过程的晶体，即放肩部分晶锭；放肩角度为30-45º之间，放肩部分晶锭底部的宽颈部分直径不小于50mm；

二、对引晶晶锭底部进行切磨抛处理，以保证底部表面基本平坦，并进行清洗，以保证底面的清洁度；

三、引晶过程：将籽晶方柱上端固定在籽晶杆上，并连接于提拉装置上；将引晶晶体底部的宽颈部位浸入InSb熔体，当引晶晶体底面接触熔体之后缓慢浸入，待引晶晶体底面和熔体完全融合时启动提拉装置，初始拉速为8-10mm/h，将加热功率降低0.1-0.4%，待新生晶体达到目标尺寸时，保持加热功率不变，拉速提升至12-15mm/h，等待晶锭底面和熔体出现融合的状态时完成引晶过程；

四、进入等径快速的单晶生长阶段。