[发明专利]一种基于主成分分析的填充轨迹规划方法有效

专利信息
申请号: 202011139242.0 申请日: 2020-10-22
公开(公告)号: CN112214906B 公开(公告)日: 2022-10-14
发明(设计)人: 张海鸥;戴福生;张明波;王桂兰;冯坤仕 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G06F30/20 分类号: G06F30/20;G06F113/10
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 孔娜;李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 基于 成分 分析 填充 轨迹 规划 方法
【权利要求书】:

1.一种基于主成分分析的填充轨迹规划方法,其特征在于,该方法包括下列步骤:

S1对于待成形零件的三维模型进行切片,以此获得多个切片层和每个切片层内待成形零件的成形轮廓,采用主成分分析方法获得该成形轮廓的第一主方向和与该第一主方向正交的第二主方向;

在步骤S1中,所述采用主成分分析方法获得该成形轮廓的第一主方向和与该第一主方向正交的第二主方向,按照下列步骤进行:

S11对于成形轮廓上的点,所有的点形成点集P;

S12计算点集P的协方差矩阵;

在步骤S12中,所述协方差矩阵按照下列方式进行:

其中,VarX是点集P中所有点的横坐标的方差,VarY是点集P中所有点的纵坐标的方差,CovXY是点集P中所有点的横坐标和纵坐标的协方差;

S13计算所述协方差矩阵的特征值和特征向量;

S14选取特征向量作为主成分方向的第一主方向和第二主方向;

在步骤S14中,选取所述特征向量对应的特征值的绝对值较大的为第一主方向,另一方面作为第二主方向;

S2对于单个切片层内的填充轨迹,采用下列方式获得填充轨迹:

(a)将所述成形轮廓设定为初始轮廓C0,将该初始轮廓按照设定长度d1和d2等距向外偏移,获得新的轮廓C1和C2,其中,d2d1;

(b)采用多条平行的等距直线与所述新的轮廓C2相交,以此在所述新的轮廓C2内获得多条平行线段,连接每条平行线段的中点获得一条中轴线,以该中轴线为中心,将该中轴线向其两侧进行偏置获得多条平行所述中轴线的曲线,该多条平行所述中轴线的曲线与所述新的轮廓C1相交,在该新的轮廓C1中获得多条曲线线段,该多条曲线线段即为所需的填充轨迹。

2.如权利要求1所述的一种基于主成分分析的填充轨迹规划方法,其特征在于,在步骤(b)中,所述多条平行的等距直线均平行于所述第二主方向。

3.如权利要求1所述的一种基于主成分分析的填充轨迹规划方法,其特征在于,在步骤(b)中获得填充轨迹后,还包括下列步骤:返回步骤(a)调整所述设定长度d1和d2,直至所述步骤(b)中获得的填充轨迹上不存在曲率突变的点。

4.如权利要求1所述的一种基于主成分分析的填充轨迹规划方法,其特征在于,在步骤S2中,所述获得填充轨迹还可以采用下列方式:

在所述成形轮廓内获得多条平行线段,将该多条平行线段的首尾相连,以此获得一条连续的Z型曲线,该Z型曲线即为所需的填充轨迹。

5.如权利要求1所述的一种基于主成分分析的填充轨迹规划方法,其特征在于,在步骤S2中,所述获得填充轨迹还可以采用下列方式:

在所述成形轮廓内获得多条平行线段,连接每条平行线段的中点获得一条中轴线,以该中轴线为中心,将该中轴线向其两侧进行偏置获得多条平行所述中轴线的曲线,该曲线与所述成形轮廓相交获得多条与所述中轴线平行的曲线线段,该多条与中轴线平行的曲线线段即为所需的填充轨迹。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011139242.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top