[发明专利]一种基于量子点的太赫兹调制器及制备方法

权利要求书

1.一种基于量子点的太赫兹调制器，其特征在于，包括由下至上依次设置的基底材料层、石墨烯薄膜层、量子点层。

2.根据权利要求1所述的基于量子点的太赫兹调制器，其特征在于，所述基底材料层采用石英基底、PET基底、PDMS衬底、硅基底、锗基底、GaAs基底的任一种。

3.根据权利要求1或2任一所述的基于量子点的太赫兹调制器，其特征在于，所述基底材料层的电阻率大于1000Ωcm。

4.根据权利要求1或2任一所述的基于量子点的太赫兹调制器，其特征在于，所述基底材料层的厚度为200μm～1000μm。

5.根据权利要求1所述的基于量子点的太赫兹调制器，其特征在于，所述石墨烯薄膜层设置至少一层。

6.根据权利要求5所述的基于量子点的太赫兹调制器，其特征在于，所述石墨烯薄膜层设置1至5层。

7.根据权利要求5或6任一所述的基于量子点的太赫兹调制器，其特征在于，单层石墨烯薄膜层的载流子迁移率为1000～10000 cm/V·S。

8.根据权利要求1所述的基于量子点的太赫兹调制器，其特征在于，所述量子点层包括CdSe量子点、InP量子点、ZnSe量子点、PbS量子点、碳量子点、硅量子点的任一种。

9.根据权利要求1或8任一所述的基于量子点的太赫兹调制器，其特征在于，所述量子点层的光致发光光谱峰值在300 nm～850 nm之间。

10.一种如权利要求1至9任一所述的基于量子点的太赫兹调制器的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

S1：制备基底材料层；

S2：在基底材料层上设置石墨烯薄膜层；

S3：在石墨烯薄膜层上设置量子点层。