[发明专利]一种识别单量子点光致发光闪烁机制的方法有效
申请号: | 202011141075.3 | 申请日: | 2020-10-22 |
公开(公告)号: | CN112414981B | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 张国峰;赵帅;韩雪;陈瑞云;秦成兵;胡建勇;肖连团;贾锁堂 | 申请(专利权)人: | 山西大学 |
主分类号: | G01N21/64 | 分类号: | G01N21/64 |
代理公司: | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人: | 张仲波 |
地址: | 030091*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 识别 量子 光致发光 闪烁 机制 方法 | ||
1.一种识别单量子点光致发光闪烁机制的方法,包括:
S1. 利用脉冲激光器激发单量子点,对所述量子点进行光致发光成像;所述量子点为钙钛矿单量子点;
S2. 定点激发共焦光致发光成像上的亮色区域,并利用时间分辨的单光子计数系统对所述单量子点的光致发光光子进行时间标记的单光子计数;
S3. 基于单量子点的单光子计数数据得到光致发光强度轨迹曲线;
S4.将光致发光强度轨迹曲线以时间单元进行分割,提取各时间单元内的光致发光强度和衰减曲线;将光致发光强度进行归一化处理,取最高强度值的量子产率为1,获得各时间单元内平均光致发光量子产率;对光致发光衰减曲线进行单指数拟合获得激子的光致发光寿命;
S5. 根据各时间单元内的平均量子产率和光致发光寿命,计算各时间单元内量子点的辐射率;
S6. 将各时间单元内的辐射率作为相应时间单元内平均光致发光强度的函数,绘制光致发光强度-辐射率分布图;
S7. 根据光致发光强度-辐射率分布图的数据点的分布形式,确定量子点的光致发光闪烁机制;
所述光致发光强度-辐射率分布图中,数据点的分布形式为水平线型分布,表示此类钙钛矿单量子点的光致发光闪烁机制为表面俘获诱导的光致发光闪烁;数据点的分布形式为指数型分布,表示此类钙钛矿单量子点的光致发光闪烁机制为俄歇复合诱导的光致发光闪烁。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤S1中,所述脉冲激光器发射的激光波长为450nm。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述:步骤S4中,以每30ms为一个时间单元。
4.如权利要求1所述的识别单量子点光致发光闪烁机制的方法在单量子点光致发光闪烁机制识别领域的应用。
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