[发明专利]一种优化的磁阻传感器及磁阻感测结构

权利要求书

1.一种优化的磁阻传感器，其特征在于，包括：

一基体，于所述基体的平面设置至少一个倾斜沟槽，所述倾斜沟槽包括两个斜面，每个所述斜面设置多个串联的磁阻感测单元，每个所述磁阻感测单元上设置有多个导体单元，形成至少一桥臂；

多个所述导体单元和多个所述磁阻感测单元均延伸至所述基体的平面和所述斜面的底部平面。

2.如权利要求1所述的磁阻传感器，其特征在于，每个所述斜面与所述底部平面之间的夹角范围为15°-85°。

3.如权利要求1所述的磁阻传感器，其特征在于，每个所述斜面与所述基体的平面之间的夹角范围为15°-85°。

4.如权利要求1所述的磁阻传感器，其特征在于，所述磁阻感测单元与所述导体单元的夹角范围为15°-45°。

5.如权利要求1所述的磁阻传感器，其特征在于，通过改变所述导体单元的取向角度、所述磁阻感测单元的初始磁化方向和\或电流方向以及所述导体单元和所述磁阻感测单元在所述斜面上的位置，以仅感测所述基体的垂直方向磁场分量；或者

仅感测所述基体或所述斜面的底部平面的水平方向磁场分量。

6.如权利要求1所述的磁阻传感器，其特征在于，所述桥臂连接呈惠斯通电桥。

7.一种优化的磁阻感测结构，其特征在于，包括多个如上述权利要求1-6任一所述的磁阻传感器，所述磁阻感测结构包括：

多个第一方向传感器，分布在一基体的平面内和\或一斜面内，以检测第一方向上的磁场分量；和\或

多个第二方向传感器，分布在所述基体的平面内和\或斜面内，以检测第二方向上的磁场分量；和\或

多个第三方向传感器，分布在所述斜面内，以检测第三方向上的磁场分量。

8.如权利要求7所述的磁阻感测结构，其特征在于，所述第一方向传感器为X轴传感器，所述第二方向传感器为Y轴传感器，所述第三方向传感器为Z轴传感器。

9.如权利要求7所述的磁阻感测结构，其特征在于，与一专用集成电路工艺以及CMOS电路形成一单芯片；或

通过封装集成工艺与CMOS芯片形成一多芯片。