[发明专利]一种避免红外探测器芯片在减薄中裂片的方法

权利要求书

1.一种避免红外探测器芯片在减薄中裂片的方法，其特征在于，包括：

通过多轮减薄工艺将第一红外探测器芯片减薄到第一预设厚度，并将减薄到第一预设厚度的第一红外探测器芯片按照预设抛光去除速度进行抛光处理，完成对所述第一红外探测器芯片的减薄，或者在抛光处理后，对所述第一红外探测器芯片的预设部位进行腐蚀处理，完成对所述第一红外探测器芯片的减薄；

其中，所述第一红外探测器芯片为互连后芯片的形变量大于等于10微米的芯片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过多轮减薄工艺将第一红外探测器芯片减薄到第一预设厚度，包括：

将所述第一红外探测器芯片通过粘接剂粘接在载板上，在多方向侧向推动所述第一红外探测器芯片，排出粘接剂内部气泡，以避免施加芯片正向压力，减薄厚度在0～200微米之间，减薄后将所述第一红外探测器芯片从载板上取下；

重复上述的粘接和减薄步骤，直到将所述第一红外探测器芯片减薄到第一预设厚度。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

每一轮的减薄工艺中的粘接、减薄和取下第一红外探测器芯片的总时间小于8小时。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述减薄工艺为通过预设设备来切削所述第一红外探测器芯片，其中，所述预设设备的工作原理是加工应力仅作用于探测器芯片的表层，加工所带来的探测器芯片的亚表面损伤层低于5微米。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述减薄工艺采用的粘接剂的熔点小于65℃。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述粘接剂为适用于半导体工艺用蜡，该粘接剂在熔点时粘稠度为20～30cps。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

每一轮的减薄工艺后，将所述第一红外探测器芯片静置预设时间段，以释放芯片内部应力，其中，所述预设时间段为大于8小时。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述预设抛光去除速度等于第二红外探测器芯片的抛光去除速率；

所述第二红外探测器芯片为互连后芯片的形变量小于10微米的芯片。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

按照探测器芯片的面积等比例调整所述第一探测器芯片的抛光压力，同时调整抛光底盘转速，使所述第一探测器芯片与所述第二探测器芯片的抛光去除速度相同，其他减薄条件和参数与所述第二探测器芯片相同。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一预设厚度为使所述第一红外探测器芯片的剩余减薄至10～80微米的厚度。