[发明专利]一种矿用电子系统的电子接地体在审

专利信息
申请号: 202011143602.4 申请日: 2020-10-23
公开(公告)号: CN112054317A 公开(公告)日: 2020-12-08
发明(设计)人: 曾军兰;闵湘川;张林新;何涛;周强 申请(专利权)人: 湖南军芃科技股份有限公司
主分类号: H01R4/64 分类号: H01R4/64;H01R4/66
代理公司: 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 代理人: 胡喜舟
地址: 410013 湖南省长沙市长沙高*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 用电 子系统 电子 接地
【权利要求书】:

1.一种矿用电子系统的电子接地体,其特征在于,该电子接地体用于串接于矿用电子系统与接地体之间,其包括大电流耗散通道及杂波耗散通道;所述大电流耗散通道与所述杂波耗散通道并联;其中,所述大电流耗散通道用于保证地线上直流最大电流耗散,所述杂波耗散通道用于保证杂波耗散进入大地。

2.根据权利要求1所述的矿用电子系统的电子接地体,其特征在于,所述大电流耗散通道包括多个并联的二极管。

3.根据权利要求2所述的矿用电子系统的电子接地体,其特征在于,所述大电流耗散通道包括至少十个并联的二极管。

4.根据权利要求1至3任一项所述的矿用电子系统的电子接地体,其特征在于,所述杂波耗散通道包括至少两个并联的子杂波耗散通道。

5.根据权利要求4所述的矿用电子系统的电子接地体,其特征在于,所述子杂波耗散通道包括两个电容和一个电阻,所述两个电容并联后与所述电阻串联。

6.根据权利要求5所述的矿用电子系统的电子接地体,其特征在于,所述杂波耗散通道包括五个并联的子杂波耗散通道,五个所述子杂波耗散通道分别为小于1KHZ杂波耗散通道、1KHZ~100KHZ杂波耗散通道、100KHZ~10MHZ杂波耗散通道、10MHZ~100MHZ杂波耗散通道及大于100MHZ杂波耗散通道。

7.根据权利要求6所述的矿用电子系统的电子接地体,其特征在于,所述小于1KHZ杂波耗散通道、1KHZ~100KHZ杂波耗散通道、100KHZ~10MHZ杂波耗散通道及10MHZ~100MHZ杂波耗散通道中的电容均为μF级的CBB电容,额定电压为400V,所述大于100MHZ杂波耗散通道中的电容均为pF级的CBB电容,额定电压为400V;五个所述子杂波耗散通道中的电阻均为阻值为1Ω、功率为3W的电阻。

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