[发明专利]半导体工艺设备及其工艺腔室

权利要求书

1.一种半导体工艺设备的工艺腔室，其特征在于，包括：腔室本体、基座及导磁装置；

所述基座位于所述腔室本体内，所述基座用于承载晶片；

所述导磁装置包括磁体结构及软磁材质的导磁结构，所述磁体结构环绕设置于所述基座的两侧，用于在所述基座附近提供磁场；所述导磁结构设置于所述基座内，并且与所述基座的上表面具有一预设距离，用于将所述磁体结构的磁力线由弯弧状约束为与所述基座的上表面平行的磁力线，以引导所述磁场强度均匀分布以及磁场方向的取向一致。

2.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述磁体结构包括固定支架及多个磁柱，所述固定支架环绕设置于所述基座的两侧；多个所述磁柱均匀分布于所述固定支架上，并且所有所述磁柱的N极和S极均等高度地沿第一方向设置，所述第一方向与所述基座的径向平行。

3.如权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述导磁结构包括导磁组件及固定环，所述导磁组件设置于所述固定环内，所述固定环用于将所述导磁组件固定于所述基座内。

4.如权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述导磁组件包括多个第一导磁条，多个所述第一导磁条均匀间隔的排布于所述固定环内，并且与所述固定环连接；多个所述第一导磁条均沿第二方向延伸设置，所述第二方向与所述第一方向之间具有预设夹角；或者

所述导磁组件包括第二导磁条及导磁环，多个所述第二导磁条均沿所述固定环径向延伸设置，与所述固定环连接，并且沿所述固定环的周向均匀排布；多个所述导磁环依次嵌套设置于所述第二导磁条上，并且均匀间隔排布；或者

所述导磁组件包括导磁盘，所述导磁盘设置于所述固定环内侧，所述导磁盘的外缘与所述固定环内缘连接。

5.如权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，任意两相邻的所述第一导磁条之间的间距为4至8毫米；所述预设夹角大于等于0度且小于等于90度。

6.如权利要求5所述的工艺腔室，其特征在于，所述预设夹角为90度。

7.如权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述磁柱外侧包覆有软磁材质的抗蚀层。

8.如权利要求1至7的任一所述的工艺腔室，其特征在于，所述导磁结构为圆盘形结构，所述导磁结构的直径与所述基座的直径的比值大于等于三分之二且小于等于一。

9.如权利要求8所述的工艺腔室，其特征在于，所述导磁结构的厚度为2至10毫米，所述预设距离为2至5毫米。

10.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括如权利要求1至9的任一所述的半导工艺设备的工艺腔室。