[发明专利]基于掺杂连接层的溶液加工串联量子点发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.基于掺杂连接层的溶液加工串联量子点发光二极管，其特征在于：包括底部器件和顶端器件，所述底部器件包括从下往上依次层叠设置的阴极、第一电子注入层、第一量子点发光层、第一空穴传输层和第一空穴注入层，所述顶端器件包括从下往上依次层叠设置的第二电子注入层、第二量子点发光层、第二空穴传输层、第二空穴注入层和阳极，所述底部器件的第一空穴注入层与顶端器件的第二电子注入层层叠设置，所述第二空穴注入层采用PEDOT:PSS溶液制成，所述第一空穴注入层采用PEDOT:PSS-GO溶液制成，所述第二电子注入层采用含有ZnMgO的溶液制成；

所述PEDOT:PSS溶液为PEDOT:PSS水溶液与异丙醇按1:1的体积比混合而成；

所述PEDOT:PSS-GO溶液为PEDOT:PSS溶液中掺入无机氧化物GO后形成的混合溶液；

所述PEDOT:PSS-GO溶液中PEDOT:PSS和无机氧化物GO的体积比为5:1。

2.根据权利要求1所述的基于掺杂连接层的溶液加工串联量子点发光二极管，其特征在于：所述第一电子注入层采用含有ZnO的溶液制成。

3.基于掺杂连接层的溶液加工串联量子点发光二极管制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、配置空穴注入层和电子注入层的材料溶液，所述空穴注入层的材料溶液包括PEDOT:PSS溶液和PEDOT:PSS-GO溶液；所述电子注入层的材料溶液包括ZnMgO溶液和ZnO溶液；

S2、准备阴极基板，并对阴极基板进行清洁、烘干和紫外臭氧处理；

S3、在处理好的阴极基板上通过溶液旋涂技术以及在不同温度下进行退火处理，依次制备第一电子注入层、量子点发光层、第一空穴传输层、第一空穴注入层、第二电子注入层、量子点发光层、第二空穴传输层和第二空穴注入层，最后通过真空热沉积技术制备阳极；

其中，第一空穴注入层采用PEDOT:PSS-GO溶液制备，第二电子注入层采用ZnMgO溶液制备，第二空穴注入层采用PEDOT:PSS溶液制备；

所述PEDOT:PSS溶液为PEDOT:PSS水溶液与异丙醇按1:1的体积比混合而成；

所述PEDOT:PSS-GO溶液中PEDOT:PSS和无机氧化物GO的体积比为5:1。

4.根据权利要求3所述的基于掺杂连接层的溶液加工串联量子点发光二极管制作方法，其特征在于：所述步骤S3中第一空穴注入层和第二空穴注入层在大气环境下通过动态旋涂技术制备，第一电子注入层、第一量子点发光层、第一空穴传输层、第二电子注入层、第二量子点发光层和第二空穴传输层均在手套箱中采用静态旋涂技术制备。

5.根据权利要求3所述的基于掺杂连接层的溶液加工串联量子点发光二极管制作方法，其特征在于：所述步骤S3中，阳极为Al电极，所述阳极在真空度低于10^-4Pa的高真空腔体中沉积制备。