[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202011147168.7 | 申请日: | 2020-10-23 |
公开(公告)号: | CN114497118A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 龙跃;邱远游;蔡建畅;吴超;肖星亮 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板的制备方法,包括:
提供衬底基板,其中,所述衬底基板上形成有多个像素驱动电路,所述多个像素驱动电路包括第一像素驱动电路和第二像素驱动电路;
在所述衬底基板上形成第一绝缘层,其中,所述第一绝缘层形成为分别部分露出所述多个像素驱动电路;
在所述第一绝缘层上形成第一走线层,其中,所述第一走线层包括第一连接走线,所述第一连接走线形成为通过所述第一绝缘层与所述第一像素驱动电路电连接;
在所述第一走线层上形成并构图第二绝缘层;
在所述第二绝缘层上形成第二走线层,其中,所述第二走线层包括第二连接走线,所述第二连接走线形成为通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层与所述第二像素驱动电路电连接;以及
在所述第二走线层上形成并构图第三绝缘层;
其中,所述第三绝缘层以及所述第二绝缘层采用同一掩模版进行构图工艺。
2.根据权利要求1所述的制备方法,还包括:
在所述第三绝缘层上形成多个发光器件,
其中,所述多个发光器件的每个包括第一电极,所述多个发光器件包括第一发光器件以及第二发光器件,
所述第一发光器件的第一电极通过所述第二绝缘层和所述第三绝缘层与所述第一连接走线电连接,
所述第二发光器件的第一电极通过所述第三绝缘层与所述第二连接走线电连接。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其中,在所述衬底基板上形成所述第一绝缘层包括:
在所述第一绝缘层中形成第一过孔以及第二过孔,其中,所述第一过孔部分露出所述第一像素驱动电路,所述第二过孔部分露出所述第二像素驱动电路。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其中,在所述第一绝缘层上形成所述第一走线层包括:
将所述第一连接走线的第一端形成为通过所述第一绝缘层的第一过孔与所述第一像素驱动电路电连接,
其中,所述第一连接走线的第二端形成为用于电连接所述第一发光器件。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其中,形成所述第二绝缘层包括:
在所述第二绝缘层中形第三过孔和第四过孔,其中,所述第三过孔暴露所述第一连接走线的第二端,所述第四过孔在所述衬底基板上的正投影与所述第二连接走线的第二端在所述衬底基板上的正投影重叠。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其中,形成所述第二绝缘层还包括:
在所述第二绝缘层形成第五过孔和第六过孔,其中,所述第五过孔与第一过孔在所述衬底基板上的正投影重叠,且所述第五过孔暴露所述第一连接走线的第一端,所述第六过孔对应于所述第二过孔。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其中,形成所述第二走线层包括:
将所述第二连接走线的第一端形成为通过所述第一绝缘层的第二过孔以及所述第二绝缘层中的第六过孔与所述第二像素驱动电路电连接,
其中,所述第二连接走线的第二端形成为用于连接所述第二发光器件。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其中,形成所述第三绝缘层包括:
在所述第三绝缘层中形成第七过孔和第八过孔,
其中,所述第七过孔在所述衬底基板上的正投影,与所述第一绝缘层的第一过孔和所述第二绝缘层的第五过孔在所述衬底基板上的正投影重叠,且述第七过孔暴露所述第一连接走线的第一端,所述第八过孔在所述衬底基板上的正投影,与所述第一绝缘层的第二过孔和所述第二绝缘层的第六过孔在所述衬底基板上的正投影重叠,且所述第八过孔暴露所述第二连接走线的第一端。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其中,形成所述第三绝缘层还包括:
在所述第三绝缘层中形成第九过孔和第十过孔,
其中,所述第九过孔和所述第二绝缘层的第三过孔在所述衬底基板上的正投影重叠,且所述第九过孔暴露所述第一连接走线的第二端,所述第十过孔和所述第二绝缘层的第四过孔孔在所述衬底基板上的正投影重叠,且所述第十过孔暴露所述第二连接走线的第二端。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的