[发明专利]单片微片激光器

权利要求书

1.一种单片微片激光器，其特征在于，包括：

泵浦源，用于发出波长808nm泵浦光；

增益介质，所述增益介质至少包括顶面、分别与所述顶面相连接的第一侧面和第二侧面，所述第一侧面和第二侧面分别与所述顶面呈锐角设置；

双色膜和1064nm部分反射膜，所述双色膜设于所述顶面并靠近所述泵浦源设置，所述1064nm部分反射膜设于所述顶面并远离所述泵浦源的一侧；

第一调Q晶体和第二调Q晶体，分别设于所述第一侧面和所述第二侧面，所述第一调Q晶体和所述第二调Q晶体用于产生调Q脉冲；其中，

所述双色膜、所述1064nm部分反射膜、所述第一调Q晶体以及所述第二调Q晶体之间形成激光谐振腔，所述泵浦源发出的808nm的泵浦光在所述激光谐振腔内至少发生两次反射，且在所述增益介质作用下形成波长1064nm激光，进而波长1064nm激光在所述激光谐振腔内振荡，并由所述第一调Q晶体以及所述第二调Q晶体产生调Q效应，形成波长1064nm的脉冲激光，进而波长1064nm的脉冲激光在所述1064nm部分反射膜处以脉冲形式输出。

2.根据权利要求1所述的单片微片激光器，其特征在于，所述第一调Q晶体与所述第二调Q晶体均由二维纳米材料制成，所述二维纳米材料为石墨烯或者二硫化钼。

3.根据权利要求1所述的单片微片激光器，其特征在于，所述第一调Q晶体与所述第二调Q晶体分别与所述增益介质可拆卸连接。

4.根据权利要求3所述的单片微片激光器，其特征在于，所述第一调Q晶体和所述第二调Q晶体通过化学转移的方式制备在所述增益介质表面，以及可以通过化学转移的方式对所述第一调Q晶体和所述第二调Q晶体进行拆卸。

5.根据权利要求1所述的单片微片激光器，其特征在于，所述泵浦源下游设有泵浦准直聚焦镜组，所述泵浦准直聚焦镜组用于接收所述泵浦源发射的泵浦光，并将所述泵浦光进行准直及聚焦，并经过所述双色膜入射至所述增益介质内。

6.根据权利要求1所述的单片微片激光器，其特征在于，所述第一调Q晶体与所述顶面之间的夹角大小与所述第二调Q晶体与所述顶面之间的夹角大小相同，以使得所述第一调Q晶体接收的光线方向与所述第二调Q晶体发射出的光线平行设置。

7.根据权利要求1所述的单片微片激光器，其特征在于，所述增益介质为Nd³⁺:YVO₄晶体或者Nd³⁺:GdVO₄晶体。

8.根据权利要求1所述的单片微片激光器，其特征在于，所述双色膜对波长1064nm的光波全反射，对波长808nm的光波全透过；

所述1064nm部分反射膜对波长1064nm的光波部分反射，对波长808nm的光波全部反射。

9.根据权利要求1所述的单片微片激光器，其特征在于，所述增益介质还包括底面，所述底面与所述顶面平行设置，所述底面分别与所述第一侧面和所述第二侧面相连接。

10.根据权利要求1所述的单片微片激光器，其特征在于，所述增益介质还包括至少一个第三侧面，所述第三侧面与所述顶面之间的夹角小于所述第一侧面或者第二侧面与所述顶面之间的夹角大小，且所述第三侧面分别与所述第一侧面和所述第二侧面相连接，所述泵浦源发出的泵浦光依次在所述第一侧面、所述第二侧面以及所述第三侧面上形成反射。