[发明专利]工艺腔室及半导体工艺设备在审
申请号: | 202011149186.9 | 申请日: | 2020-10-23 |
公开(公告)号: | CN112259479A | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 徐刚;郑波;魏景峰 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 工艺 半导体 工艺设备 | ||
1.一种工艺腔室,所述工艺腔室用于半导体工艺设备中,所述工艺腔室用于与所述半导体工艺设备的传输腔室连接,其特征在于,所述工艺腔室包括腔体及控温装置;
所述腔体上形成有并列设置的多个容置腔,所述容置腔用于容置待加工件以执行处理工艺;所述控温装置设置于所述腔体的壁体内,用于对所述容置腔进行加热;
所述腔体上还具有散热部,所述散热部设置于相邻两个所述容置腔之间的所述壁体内,所述散热部用于隔绝两个相邻的所述容置腔之间的热量传递。
2.如权利要求1所述的工艺腔室,其特征在于,多个所述控温装置分别对应多个所述容置腔设置,并且相邻两个所述容置腔各自对应设置的所述控温装置相对所述散热部对称。
3.如权利要求2所述的工艺腔室,其特征在于,所述容置腔的一侧设置有用于传输待加工件的传片口,所述传片口用于与所述传输腔室连通;
所述控温装置包括第一控温组件及第二控温组件,所述第一控温组件靠近所述传片口设置,所述第二控温组件远离所述传片口且靠近所述容置腔设置。
4.如权利要求3所述的工艺腔室,其特征在于,所述第一控温组件包括第一加热器及第一传感器,所述第一加热器对称设置于所述传片口的两侧,所述第一传感器位于所述传片口底部居中位置。
5.如权利要求3或4所述的工艺腔室,其特征在于,所述第二控温组件包括第二加热器及第二传感器,多个所述第二加热器环绕所述容置腔设置,所述第二传感器设置于容置腔的底部,并且第二传感器距离多个所述第二加热器之间的距离相同。
6.如权利要求3所述的工艺腔室,其特征在于,所述工艺腔室还包括有隔热板,所述隔热板开设有与所述传片口对应的开口,所述腔体通过所述隔热板与所述传输腔室连接,用于隔绝所述腔体的热量传递。
7.如权利要求1所述的工艺腔室,其特征在于,所述散热部为形成在所述壁体内的贯通孔,所述贯通孔沿垂直于相邻两个所述容置腔的中心连线的方向延伸,且所述贯通孔的延伸长度不小于所述容置腔在所述贯通孔内壁上的投影长度。
8.如权利要求7所述的工艺腔室,其特征在于,所述容置腔的中心轴两侧的所述壁体厚度相同。
9.如权利要求8所述的工艺腔室,其特征在于,所述贯通孔在所述壁体内的延伸宽度大于10毫米。
10.一种半导体工艺设备,其特征在于,包括传输腔室及如权利要求1至9的任意一项所述工艺腔室。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造