[发明专利]发光二极管和背光式显示装置

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

一多颜色光发射芯片，所述多颜色光发射芯片的发射光谱具有位于第一基色光的波段的第一峰值和位于第二基色光的波段的第二峰值，且所述第一峰值与所述第二峰值的波长差绝对值大于50纳米；以及

一荧光胶层，覆盖所述多颜色光发射芯片以受激产生第三基色光，其中所述第三基色光、所述第二基色光和所述第一基色光的颜色互不相同；

所述第一峰值的强度大于所述第二峰值的强度，所述第一峰值的波长小于所述第二峰值的波长，且所述第一峰值对应的光谱半波宽度及所述第二峰值对应的光谱半波宽度都小于50纳米；

所述第一峰值的强度与所述第二峰值的强度之比值为5/3~5；

所述第一峰值对应的所述光谱半波宽度小于所述第二峰值对应的所述光谱半波宽度；

所述第一峰值的波长位于430~470纳米范围内，所述第二峰值的波长位于515~535纳米范围内；

其中，所述多颜色光发射芯片包括N型半导体层、P型半导体层和位于所述N型半导体层与所述P型半导体层之间的多重量子阱层结构；所述多重量子阱层结构包括沿所述N型半导体层与所述P型半导体层的距离方向排列的第一阱层和第二阱层，所述第一阱层和所述阱层具有不同的禁带宽度以分别用于发射所述第一基色光和所述第二基色光。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一峰值对应的所述光谱半波宽度位于15~25纳米范围内，且所述第二峰值对应的所述光谱半波宽度位于25~45纳米范围内。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一阱层和所述第二阱层的材料包括氮化镓铟，且所述第一阱层的铟浓度与所述第二阱层的铟浓度不同；所述第一阱层的所述铟浓度位于浓度范围12.4%~18.8%，所述第二阱层的所述铟浓度位于浓度范围25.2%~27.8%。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管为芯片级封装的单芯片器件，所述多颜色光发射芯片为倒装芯片；

其中，所述荧光胶层位于所述倒装芯片的顶面并环绕设置在所述倒装芯片的四周，以实现所述发光二极管侧面及顶面出光；或者，所述荧光胶层位于所述倒装芯片的顶面且所述倒装芯片的四周由白胶环绕，以实现所述发光二极管顶面出光。

5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管为表面贴装型的单芯片器件，所述发光二极管还包括封装基板，且所述封装基板形成有凹陷区域，所述多颜色光发射芯片设置在所述凹陷区域内且与所述封装基板形成电连接，所述荧光胶层填充在所述凹陷区域内以覆盖所述多颜色光发射芯片，且所述多颜色光发射芯片为正装芯片或倒装芯片。

6.一种背光式显示装置，其特征在于，包括：

显示面板，具有第一基色滤光器、第二基色滤光器和第三基色滤光器；

背光模组，用于向所述显示面板提供背光照明；

其中，所述背光模组设置有如权利要求1-5任意一项所述的发光二极管，且所述第一基色滤光器、第二基色滤光器和第三基色滤光器分别用于过滤所述第一基色光、所述第二基色光和所述第三基色光。