[发明专利]一种像素补偿电路及驱动方法在审

专利信息
申请号: 202011149428.4 申请日: 2020-10-23
公开(公告)号: CN112331148A 公开(公告)日: 2021-02-05
发明(设计)人: 钟慧萍;郭智宇;刘汉龙;陈廷安;刘振东;郑聪秀 申请(专利权)人: 福建华佳彩有限公司
主分类号: G09G3/3258 分类号: G09G3/3258
代理公司: 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 代理人: 林祥翔;徐剑兵
地址: 351100 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 像素 补偿 电路 驱动 方法
【说明书】:

发明公布一种像素补偿电路及驱动方法,其中补偿电路包括:晶体管T1的漏极连接VDD,晶体管T1的栅极连接SCAN1,晶体管T1的源极连接晶体管T2的漏极和晶体管T4的漏极;晶体管T2的源极和晶体管T4的栅极连接第一极板,晶体管T2的栅极连接SCAN2;晶体管T3的源极连接第二极板,晶体管T3的栅极连接SCAN2;晶体管T4的源极连接晶体管T6的源极和晶体管T7的漏极;晶体管T5的栅极连接EM,晶体管T5的漏极连接到晶体管T3的源极;晶体管T6的栅极连接SCAN2;晶体管T7的源极连接发光二极管的正极,晶体管T7的栅极连接EM。上述技术方案让面板各处画面的亮度显示得更加均匀。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素补偿电路及驱动方法。

背景技术

近年来,有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)由于其自发光、高响应速度、广视角、高对比度、低功耗、轻薄、耐高低温及可柔性等特性,被广泛地应用于显示面板行业中。

目前OLED存在一些问题,例如由于低温多晶硅技术(LTPS TFT)和金属氧化物技术(Metal oxide TFT)的工艺制程的影响,不同位置的晶体管的Vth(即阈值电压)的不均匀性,造成OLED的电流差异和亮度差异,并被人眼感知,即mura现象。

现有已知影响OLED device电流大小的参数有晶体管的电子迁移率、阈值电压Vth、OLED的驱动电压以及电源电压的大小等。而且OLED本身的亮度在开启后逐渐衰减,这些问题难以在工艺上克服。所以需要像素补偿电路来消除这些因素带来的影响,让所有像素的亮度达到理想值。

发明内容

为此,需要提供一种像素补偿电路及驱动方法,解决面板显示亮度不均匀的问题。

为实现上述目的,本实施例提供了一种像素补偿电路,包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、电容和二极管;

所述晶体管T1的漏极连接VDD,所述晶体管T1的栅极连接SCAN1,所述晶体管T1的源极分别连接所述晶体管T2的漏极和所述晶体管T4的漏极;

所述晶体管T2的源极和所述晶体管T4的栅极分别连接所述电容的第一极板,所述晶体管T2的栅极连接SCAN2;

所述晶体管T3的源极连接所述电容的第二极板,所述晶体管T3的漏极连接驱动Vdate,所述晶体管T3的栅极连接SCAN2;

所述晶体管T4的源极分别连接所述晶体管T5的源极、所述晶体管T6的源极和所述晶体管T7的漏极;

所述晶体管T5的栅极连接EM,所述晶体管T5的漏极连接到所述晶体管T3的源极与所述第二极板之间的线路上;

所述晶体管T6的栅极连接SCAN2,所述晶体管T6的漏极连接Vref;

所述晶体管T7的源极连接所述二极管的正极,所述晶体管T7的栅极连接EM。

进一步地,所述二极管的负极连接VSS。

进一步地,晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7均为薄膜晶体管。

进一步地,晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7均为N型结构的薄膜晶体管。

进一步地,所述二极管为有机发光二极管。

进一步地,所述像素补偿电路设置在显示面板上。

本实施例还提供一种像素补偿电路驱动方法,应用于上述任意一项实施例所述的一种像素补偿电路,包括如下步骤:

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