[发明专利]一种用于半导体芯片研磨设备机架加工的材料清洁方法

说明书

本发明公开了一种用于半导体芯片研磨设备机架加工的材料清洁方法，包括以下步骤：S1、清洗记录：建立清洗记录数据库，S2、清洗准备：准备材料清洗用品，放置半导体芯片研磨设备机架加工的材料，S3、一次清洗：将半导体芯片研磨设备机架加工材料放置入超声波清机中，设置清洗时间，设置清洗温度，加入清洗液，记录清洗次数，在本方法的使用当中，通过一次清洗对半导体芯片研磨设备机架加工材料进行第一遍预先清洗，同时在干燥后通过浸泡将溴丙烷与加工材料进行浸泡式接触，使得溴丙烷可以包裹住加工材料，达到深度清洁，在浸泡完成后通过二次清洗进行深度清洗，提高加工材料的清洗效率，方便工作人员的使用。

技术领域

本发明涉及材料清洁技术领域，具体为一种用于半导体芯片研磨设备机架加工的材料清洁方法。

背景技术

半导体芯片制造过程中，在进入深次微米的半导体步骤之后，半导体制造厂商大多会使用平坦化效果较佳的研磨步骤来均匀地去除半导体芯片上具有不规则表面的目标薄膜层，是半导体芯片在研磨步骤以后能够具有平坦且规则的表面，达到半导体表面的全面平坦化，以确保后续步骤的良率，在半导体芯片研磨设备机架的加工过程当中，需要对机架加工的材料进行清洗，而在机架加工材料的清洗过程当中，加工材料的表面涂有特殊涂层，在进行清洗时有热量放出，在清洗时需要特殊方法对其进行清洗。

现有的半导体芯片研磨设备机架加工材料的清洗方法当中，大多使用人工进行擦拭或者使用超声波进行清洗，但现有的清洗方法对半导体芯片研磨设备机架加工材料的清洗程度不够完全，无法进行深度清洗，为此，提出一种用于半导体芯片研磨设备机架加工的材料清洁方法。

发明内容

（一）解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种用于半导体芯片研磨设备机架加工的材料清洁方法。

（二）技术方案

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种用于半导体芯片研磨设备机架加工的材料清洁方法，包括以下步骤：

S1、清洗记录：建立清洗记录数据库；

S2、清洗准备：准备材料清洗用品，放置半导体芯片研磨设备机架加工的材料；

S3、一次清洗：将半导体芯片研磨设备机架加工材料放置入超声波清机中，设置清洗时间，设置清洗温度，加入清洗液，记录清洗次数；

S4、干燥处理：手动擦拭半导体芯片研磨设备机架加工材料表面清洗液，擦拭完成后放入烘干机内部，设置烘干时间；记录烘干次数；

S5、浸泡：将烘干完成后的半导体芯片研磨设备机架加工材料静置到常温后放入溴丙烷溶液内浸泡，浸泡1-3min后取出，记录浸泡时间；

S6、二次清洗：将浸泡完成后的半导体芯片研磨设备机架加工材料通过冲刷式清洗，记录清洗次数；

S7、甩干：将二次清洗完成后的半导体芯片研磨设备机架加工材料放入甩干机中，设置甩干时间，记录甩干次数。

优选的，所述清洗记录数据库、包括记录清洗次数的清洗次数数据库、用于记录清洗时间的时间数据库、用于记录烘干次数的烘干数据库，用于记录浸泡次数的浸泡数据库，用于记录甩干次数的甩干数据库。

优选的，在所述S3中，清洗液包括以下重量份数的组分：缓蚀剂1-2重量份、二氯乙烷1-5重量份、双氧水2-7重量份；氢氟酸1-5重量份和三氯甲烷1-10重量份。

优选的，在所述S4中，干燥处理采用氮气烘干机，烘干温度为80-100℃，烘干时间为1-3.5min。

优选的，在所述S5中，溴丙烷的纯度为97%-99%，浸泡温度为40-47℃，浸泡时间为1-3min，半导体芯片研磨设备机架加工材料静置长为7-10min。