[发明专利]一种具有交换偏置效应的氮化铁基多铁性异质结构及制备方法在审
申请号: | 202011149704.7 | 申请日: | 2020-10-23 |
公开(公告)号: | CN112242221A | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 米文博;刘祥 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H01F10/32 | 分类号: | H01F10/32;H01F41/30;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/08 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 王丽 |
地址: | 300350 天津市津南区海*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 交换 偏置 效应 氮化 基多 铁性异质 结构 制备 方法 | ||
1.一种具有具有交换偏置效应的氮化铁基多铁性异质结构;其特征是,结构为Fe4N/BiFeO3/SrRuO3/SrTiO3多铁性异质结构。
2.如权利要求1所述的结构,其特征是,所述的Fe4N/BiFeO3/SrRuO3/SrTiO3从下到上依次为SrTiO3(111)单晶基片、50nm厚的SrRuO3层、30nm厚的BiFeO3层和20nm厚的Fe4N层;其中Fe4N和SrRuO3为铁磁层,BiFeO3为反铁磁层。
3.如权利要求1所述的结构,其特征是,基底为SrTiO3(111)单晶基片,厚度为500μm,面积为5mm×5mm。
4.如权利要求1所述的结构,其特征是,Fe4N/BiFeO3/SrRuO3/SrTiO3异质结构当冷却磁场为50kOe时,在3K下,异质结构的交换偏置场为-527Oe。
5.一种具有具有交换偏置效应的Fe4N基多铁性异质结构制备方法;其特征是包括内容如下:
(1)采用磁控溅射法,以SrRuO3靶为原材料,在溅射过程中,通入氩气(99.999)和氧气(99.999)的混合气体,通过控制溅射功率、溅射气压、基底温度、降温速率,在SrTiO3(111)基底上制备了50nm厚的SrRuO3(111)薄膜;
(2)采用射频磁控溅射法,以Bi1.1FeO3靶为原材料,在溅射过程中,通入氩气(99.999)和氧气(99.999)的混合气体,通过控制溅射功率、溅射气压、基底温度、降温速率,在SrRuO3/SrTiO3薄膜上制备了30nm厚的BiFeO3(111)薄膜;
(3)采用磁控溅射法,以纯Fe靶为原材料,在溅射过程中,通入氩气(99.999)和氮气(99.999)的混合气体,通过控制溅射电流、溅射电压、溅射气压、基底温度、降温速率,在BiFeO3/SrRuO3/SrTiO3异质结构上制备了20nm厚的Fe4N(111)薄膜。
6.如权利要求5所述的方法,其特征是所述步骤(1)中,在背底真空度优于2×10–5Pa,直流溅射功率为40W,溅射气压为1.1Pa,基底温度为650℃,氩气(99.999)和氧气(99.999)的流量比为5:3,退火环境为纯氧气(99.999),退火气压为200Pa,退火温度为650℃,退火时间为30min,升温速率为10℃/min,降温速率为3℃/min,薄膜的沉积速率为0.5nm/min的条件下,在SrTiO3(111)基底上制备了50nm厚的SrRuO3(111)薄膜。
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