[发明专利]显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202011150143.2 | 申请日: | 2020-10-23 |
公开(公告)号: | CN112310122A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 何家庆;龚吉祥;彭浩 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/417;H01L21/84;H01L21/28;G09F9/33 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 何辉 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板;
第一有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极层以及第二栅极绝缘层,所述第一有源层、所述第一栅极绝缘层、所述第一栅极层以及所述第二栅极绝缘层依次层叠设置于所述衬底基板上,所述第二栅极绝缘层设置有第一通孔和第二通孔,所述第一通孔贯穿所述第二栅极绝缘层和所述第一栅极绝缘层,且暴露所述第一有源层一侧的部分,所述第二通孔贯穿所述第二栅极绝缘层和所述第一栅极绝缘层,且暴露所述第一有源层另一侧的部分;
金属层,所述金属层包括第一金属部和第二金属部,所述第一金属部填充于所述第一通孔,且电连接所述第一有源层的一侧的部分,所述第二金属部填充于所述第二通孔,且电连接所述第一有源层的另一侧的部分;
第一层间介质层,所述第一层间介质层覆盖所述第二栅极绝缘层以及所述金属层,所述第一层间介质层设置有第三通孔和第四通孔,所述第三通孔贯穿第一层间介质层,且暴露所述第一金属部,所述第四通孔贯穿所述第一层间介质层,且暴露所述第二金属部;
第一源极,所述第一源极设置于所述第三通孔中,且电连接所述第一金属部;以及
第一漏极,所述第一漏极设置于所述第四通孔中,且电连接所述第二金属部。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述金属层还包括第三金属部,所述第三金属部设置于所述第二栅极绝缘层上,并位于所述第一栅极层之上,所述第三金属部与所述第一金属部以及所述第二金属部相互绝缘,所述第一栅极层与所述第三金属部组成存储电容;
所述第一有源层、所述第一栅极绝缘层、所述第一栅极层、所述第二栅极绝缘层、所述金属层、所述第一层间介质层、所述第一源极以及所述第二漏极组成第一晶体管。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括第二有源层和第三栅极绝缘层,所述第二有源层和所述第三栅极绝缘层依次设置于所述第一层间介质层上;
所述第二有源层在所述衬底基板上的投影与所述第一有源层在所述衬底基板上的投影不重合;所述第三通孔和所述第四通孔还贯穿所述第三栅极绝缘层。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括第二栅极层,所述第二栅极层设置于所述第三栅极绝缘层上,并位于所述第二有源层之上。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括第二层间介质层,所述第二层间介质层覆盖所述第三栅极绝缘层以及所述第二栅极层;
所述第三通孔还贯穿所述第二层间介质层,所述第四通孔还贯穿所述第二层间介质层,所述第二层间介质层设置有第一过孔和第二过孔,所述第一过孔贯穿所述第二层间介质层以及所述第三栅极绝缘层,且暴露所述第二有源层一侧的部分,所述第二过孔贯穿所述第二层间介质层以及所述第三栅极绝缘层,且暴露所述第二有源层另一侧的部分。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括第二源极和第二漏极,所述第二源极设置于所述第二层间介质层上,并延伸入所述第一过孔与所述第二有源层电连接,所述第二漏极设置于所述第二层间介质层上,并延伸入所述第二过孔与所述第二有源层电连接,所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极以及所述第二漏极同层设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的