[发明专利]一种采用噪声消除技术的增益可调低噪声放大器在审

专利信息
申请号: 202011150314.1 申请日: 2020-10-23
公开(公告)号: CN112511111A 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 邓金鸣;王磊 申请(专利权)人: 上海磐启微电子有限公司
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26;H03F1/02;H03F3/16
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 党蕾
地址: 200120 上海市浦东新区中国(上海)自由*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 采用 噪声 消除 技术 增益 可调 低噪声放大器
【权利要求书】:

1.一种采用噪声消除技术的增益可调低噪声放大器,包括,电源,接地端,信号源,与信号源连接的等效输出阻抗,其特征在于,包括:

噪声消除支路,与所述信号源连接,其中,所述噪声消除支路主要由NMOS共栅管MN1、MN2,上拉电阻RL,PMOS共源管MP1构成;

复数个可选择开启的信号放大支路,分别与所述噪声消除支路连接,其中,所述信号放大支路主要由NMOS共源管MNS,PMOS共源管MPS,NMOS共栅管MNC,PMOS共栅管MPC构成。

2.根据权利要求1所述的增益可调低噪声放大器,其特征在于,复数个所述信号放大支路根据增益不同选择开启相应数量的所述信号放大支路。

3.根据权利要求1所述的增益可调低噪声放大器,其特征在于,所述低噪声放大器的输入阻抗满足以下公式:

Rin≈1/gmMN1

其中,Rin为输入电阻;gmMN1为nmos共栅管的跨导;

输入阻抗不随增益变化。

4.根据权利要求1所述的增益可调低噪声放大器,其特征在于,所述低噪声放大器的输出阻抗如下式所示:

即,输出电阻与电流I成反比;

其中,Rout为输出电阻;

rons为nmos共源管的等效输出阻抗;

ronc为nmos共栅管的等效输出阻抗;

rops为pmos共源管的等效输出阻抗;

ropc为pmos共栅管的等效输出阻抗;

gmnc为nmos共栅管的跨导;

gmpc为pmos共栅管的跨导;

I为流过各MOS管的电流。

5.根据权利要求1所述的增益可调低噪声放大器,其特征在于,所述低噪声放大器输出主极点如下式所示:

其中,Cout为输出节点的等效输出电容,几乎不随电流变化。

Rout为放大器等效输出阻抗

rons为nmos共源管的等效输出阻抗;

ronc为nmos共栅管的等效输出阻抗;

rops为pmos共源管的等效输出阻抗;

ropc为pmos共栅管的等效输出阻抗;

gmnc为nmos共栅管的跨导;

gmpc为pmos共栅管的跨导;

因此带宽与电流成正比;

进一步的,由于系统函数

其中,Av为放大器增益,ωout为输出主极点,w为频率。

因此在频率远高于主极点的位置,增益与主极点成正比,即增益在高频处与电流成正比。

6.根据权利要求1所述的增益可调低噪声放大器,其特征在于,所述低噪声放大器的输入阻抗匹配满足下式:

Rin≈1/gmMN1=Rs

其中,gmMN1为MN1管子的跨导,Rs为所述信号源等效输出阻抗。

7.根据权利要求1所述的增益可调低噪声放大器,其特征在于,所述信号放大支路的噪声电流折算到输出,如下式所示:

其中,k是玻尔兹曼常数,T是绝对温度,γ为与晶体管偏置状态有关的系数,gmMNS1和gmMPS1为NMOS和PMOS共源管的跨导。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海磐启微电子有限公司,未经上海磐启微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011150314.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top