[发明专利]薄膜晶体管、包括该薄膜晶体管的栅极驱动器和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

铁-铟-锌氧化物(FIZO)的第一氧化物半导体层；及

铟-镓-锌氧化物(IGZO)的第二氧化物半导体层，

其中：

在所述第一氧化物半导体层中，铁(Fe)与铟(In)的含量比(Fe/In)小于锌(Zn)与铟(In)的含量比(Zn/In)；及

在所述第一氧化物半导体层中，铟(In)的含量大于锌(Zn)的含量。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中：

所述第一氧化物半导体层的一个侧面的倾角以锐角形成；及

所述第二氧化物半导体层的一个侧面的倾角以直角或锐角形成。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中：

所述第二氧化物半导体层中的锌(Zn)与铟(In)的含量比(Zn/In)大于所述第一氧化物半导体层中的锌(Zn)与铟(In)的含量比(Zn/In)。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第二氧化物半导体层的电阻和带隙能大于所述第一氧化物半导体层的电阻和带隙能，并且所述第二氧化物半导体层的带隙能在所述第一氧化物半导体层的带隙能的105％至130％的范围内。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括栅电极，所述栅电极更靠近所述第一氧化物半导体层，而不是更靠近所述第二氧化物半导体层。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层的厚度在至的范围内。

7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层与所述栅电极重叠，在所述第一氧化物半导体层与所述栅电极之间插入有栅极绝缘膜。

8.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中：

所述栅电极设置在所述第一氧化物半导体层下方；及

所述第二氧化物半导体层设置在所述第一氧化物半导体层上。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，还包括：

源电极，被配置为接触所述第一氧化物半导体层的一侧和所述第二氧化物半导体层的一侧；及

漏电极，被配置为接触所述第一氧化物半导体层的另一侧和所述第二氧化物半导体层的另一侧。

10.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中：

所述栅电极设置在所述第一氧化物半导体层上；及

所述第二氧化物半导体层设置在所述第一氧化物半导体层下方。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，还包括：

源电极，被配置为通过穿过层间绝缘膜形成的第一接触孔接触所述第一氧化物半导体层的一侧，所述层间绝缘膜被配置为覆盖所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层；及

漏电极，被配置为通过穿过所述层间绝缘膜形成的第二接触孔接触所述第一氧化物半导体层的另一侧。

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管，其中：

所述源电极通过穿过所述第一氧化物半导体层形成的所述第一接触孔接触所述第二氧化物半导体层的一侧；及

所述漏电极通过穿过所述第一氧化物半导体层形成的所述第二接触孔接触所述第二氧化物半导体层的另一侧。

13.一种栅极驱动器，包括：

被配置为输出栅极信号的多级，

其中，每一级包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括铁-铟-锌氧化物(FIZO)的第一氧化物半导体层，及铟-镓-锌氧化物(IGZO)的第二氧化物半导体层，

其中，在所述第一氧化物半导体层中，铁(Fe)与铟(In)的含量比(Fe/In)小于锌(Zn)与铟(In)的含量比(Zn/In)；及

在所述第一氧化物半导体层中，铟(In)的含量大于锌(Zn)的含量。