[发明专利]一种功率半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202011152112.0 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN112018189B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 李振道;孙明光;朱伟东 | 申请（专利权）人： | 江苏应能微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;陈丽丽 |
| 地址： | 213000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 及其 制作方法 | ||
1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：基底，所述基底上形成井深掺杂区，所述井深掺杂区内形成源极掺杂区，所述基底上添加金属层，所述金属层旁形成介电层，所述介电层包覆多晶硅层结构，所述介电层下形成氧化层，所述氧化层与所述基底以及所述源极掺杂区接触，所述金属层与所述井深掺杂区以及所述源极掺杂区接触，所述多晶硅层结构包括多个直线型结构的多晶硅元件，每个多晶硅元件沿长度方向能够被划分为多个多晶硅组件，每个多晶硅组件沿长度方向的至少一边设置有内嵌结构和/或凸起结构；
每个多晶硅组件包括主体结构，沿所述主体结构长度方向的两边均设置凸起结构和内嵌结构。
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，沿所述主体结构长度方向的两边分别间隔且对称设置两个凸起结构，且在所述主体结构上沿所述主体结构长度方向的两边分别设置一个内嵌结构。
3.根据权利要求2所述的功率半导体器件，其特征在于，位于两个多晶硅元件上的相邻两个多晶硅组件的主体结构之间的间隙距离大于所述主体结构的宽度，所述主体结构上的内嵌结构的长度小于位于两个多晶硅元件上的相邻两个多晶硅组件的主体结构之间的间隙距离。
4.一种用于权利要求1至3中任意一项所述的功率半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供基底，并在所述基底上依次形成井深掺杂区和源极掺杂区；
在所述源极掺杂区上沉积多晶硅层结构，其中沉积的所述多晶硅层结构包括多个直线型结构的多晶硅元件，每个多晶硅元件沿长度方向能够被划分为多个多晶硅组件，每个多晶硅组件沿长度方向的至少一边设置有内嵌结构和/或凸起结构；
在所述多晶硅层结构上依次形成介电层和金属层；
在每个多晶硅组件上形成凸起结构和内嵌结构。
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