[发明专利]集成电路版图微缩方法在审
申请号: | 202011152838.4 | 申请日: | 2020-10-23 |
公开(公告)号: | CN112255882A | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 徐恭铭;李威谕 | 申请(专利权)人: | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F7/20 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 张洋 |
地址: | 250000 山东省济南市*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 版图 微缩 方法 | ||
1.一种集成电路版图微缩方法,其特征在于,包括:
获取初始版图,并对所述初始版图内相互接触的图形单元进行合并,所述合并后的相互接触的所述图形单元构成图形单元组;
根据预设微缩比例微缩处理经图形单元合并后的所述初始版图,以得到微缩版图。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在根据预设微缩比例微缩处理经图形单元合并后的所述初始版图,以得到微缩版图之后,所述方法还包括:
对齐所述微缩版图内所述图形单元的边缘格点和光刻对准格点。
3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
对所述初始版图和/或所述微缩版图的图形单元,进行光学邻近效应修正。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述光学邻近效应修正包括基于经验的光学邻近效应修正。
5.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述光学邻近效应修正包括基于模型的光学邻近效应修正。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据预设微缩比例微缩处理经图形单元合并后的所述初始版图,以得到微缩版图,包括:
根据所述预设微缩比例,分别对所述图形单元及所述图形单元组以所述初始版图的几何中心为固定点进行微缩处理。
7.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述对齐所述微缩版图内所述图形单元的边缘格点和光刻对准格点,包括:
根据四舍五入计算法对所述边缘格点的坐标值进行计算,以将使其转化为所述光刻对准格点相应的坐标值。
8.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述对齐所述微缩版图内所述图形单元的边缘格点和光刻对准格点,包括:
将所述边缘格点的坐标值按照就近原则转化为所述光刻对准格点相应的坐标值。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,相互接触的所述图形单元包括首尾相接的至少两个图形单元。
10.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述预设微缩比例为85%至98%。
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G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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