[发明专利]一种声频负反馈多普勒微波传感器及其制作工艺

权利要求书

1.一种声频负反馈多普勒微波传感器，其特征在于，包括压电陶瓷层和PCB基板；所述PCB基板上蚀刻有微带天线、电源接地端口GND、信号端口和电源接口，所述信号端口包括信号发射天线和信号接收信号；所述PCB基板与压电陶瓷层之间涂有一层有机树脂绝缘层，所述有机树脂绝缘层和PCB基板上对应设置有电源接地端口GND；所述压电陶瓷上嵌有内电极，所述内电极通过绝缘层和PCB基板上设置的电源接地端口GND与PCB基板通电。

2.一种声频负反馈多普勒微波传感器的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1.在PCB基板上制备胶层，然后采用光刻技术曝光出微带天线、电源接地端口GND、信号发射天线、信号接收天线和电源接口的单元图形；

S2.在PCB基板曝光后的胶层上蚀刻上述微带天线、信号发射天线、信号接收天线和电源接口后，涂上一层有机树脂绝缘层；

S3.在有机树脂绝缘层上覆盖一层烧结的压电陶瓷，即制得一种声频负反馈多普勒微波传感器。

3.根据权利要求2所述的一种声频负反馈多普勒微波传感器的制作工艺，其特征在于，步骤S2中所述有机树脂绝缘层上预留有电源接地端口GND，与蚀刻在PCB基板上的电源接地端口GND相对应。

4.根据权利要求2所述的一种声频负反馈多普勒微波传感器的制作工艺，其特征在于，步骤S3中所述有机树脂绝缘层上烧结一层压电陶瓷，烧结的压电陶瓷内嵌有内电极。

5.根据权利要求2所述的一种声频负反馈多普勒微波传感器的制作工艺，其特征在于，步骤S3中所述在有机树脂绝缘层上一层烧结的压电陶瓷，压电陶瓷的烧结包括以下步骤：

S31.配料：对原料进行预处理，除杂去潮，然后按配方比例称量各原材料；

S32.混合煅烧：将上述原料混合后，煅烧所得混合物；

S33.研磨混合：向煅烧后的混合物研磨成粉末，加入粘合剂混合均匀；

S34.模制成型与烧结：将加入粘合剂的混合物模制成型，高温下烧结得到压电陶瓷半成品；

S35.高压极化：将所得压电陶瓷半成品在3000V/mm的高压下极化，得到具有压电性能的压电陶瓷。

6.根据权利要求5所述的一种声频负反馈多普勒微波传感器的制作工艺，其特征在于，步骤S33中所用粘合剂为聚乙酸乙烯粘合剂，所述粘合剂对研磨后的混合物起固化作用，并参与后续烧结过程的固相反应。

7.根据权利要求5所述的一种声频负反馈多普勒微波传感器的制作工艺，其特征在于，步骤S33中所述研磨方式为干磨或湿磨。

8.根据权利要求5所述的一种声频负反馈多普勒微波传感器的制作工艺，其特征在于，步骤S33中所述高温下烧结的温度控制在1000-1500℃之间。