[发明专利]一种太阳能电池PECVD沉积镀膜方法

说明书

本发明公开了一种太阳能电池PECVD沉积镀膜方法，所述方法包括：将容纳有待镀膜硅片的石墨舟置于管式炉中；将所述管式炉内温度升至第一预设温度后恒温第一预设时长；对所述管式炉抽真空，并升温至第二预设温度；通入活性气体以进行沉积；与现有技术相比，本发明的优点是：在大气氛围升温后恒温第一预设时长以增加大气高温恒温过程，使得硅片表面的ALD氧化铝沉积镀膜能在高温下与大气氛围中的氧气反应，借助氧气的氧化作用减少硅片膜层表面的悬挂键，从而减少表面复合提升钝化稳定性以提高氮化硅膜层的沉积质量。

技术领域

本发明涉及太阳能电池领域，具体涉及一种太阳能电池PECVD沉积镀膜方法。

背景技术

晶硅太阳能电池是一种可以将太阳光能转化成为电能的电子元器件，而SE-PERC太阳能电池是晶硅太阳能电池中最流行的高效电池之一。随着太阳电池光伏行业的发展，钝化发射极和背面接触(PERC)晶体硅太阳电池越来越受到市场的欢迎，尤其采用选择性发射极技术(selectiveemitter,SE)的选择性发射极晶体硅双面PERC太阳能电池(SE-PERC)，对SE-PERC电池表面的处理工艺也变得尤为重要。

其中，PECVD(等离子增强化学气相沉积)是电池表面处理的一道重要工序，该工序在ALD双面氧化铝沉积之后、背面激光开槽之前。目前光伏电池的PECVD工序常用管式PECVD进行正、反面氮化硅膜层沉积，在石墨舟载体载片进入炉管后，管式炉内环境采用大气氛围升温，温度达到设定值后进行抽真空，真空度达到设定后进行氮化硅膜层淀积。

但目前的工艺方法中硅片表面氧化铝膜层存在悬挂键使得硅片在PECVD沉积时钝化激活程度不高，以致于氮化硅膜层沉积质量不高，导致转换效率偏低，严重影响良品率。

发明内容

本发明目的是：提供一种太阳能电池PECVD沉积镀膜方法。

本发明的技术方案是：提供一种太阳能电池PECVD沉积镀膜方法，所述方法包括：

将容纳有待镀膜硅片的石墨舟置于管式炉中；

将所述管式炉内温度升至第一预设温度后恒温第一预设时长；

对所述管式炉抽真空，并升温至第二预设温度；

通入活性气体以进行沉积。

在一些较佳的实施例中，所述第一预设温度为480-550℃，所述第一预设时长为200-400s。

在一些较佳的实施例中，所述第二预设温度为500-580℃，且所述第一预设温度比所述第二预设温度低20-30℃。

在一些较佳的实施例中，所述升温至第二预设温度后还包括：在所述第二预设温度下恒温第二预设时长。

在一些较佳的实施例中，所述第二预设时长为300-550s；

所述第一预设时长比所述第二预设时长短100-150s。

在一些较佳的实施例中，

所述通入活性气体以进行沉积之前，所述方法还包括：

检测所述管式炉的真空度，若所述真空度在第一预设真空范围内则通入活性气体以进行沉积。

在一些较佳的实施例中，所述检测所述管式炉的真空度具体包括：检测所述管式炉的漏率；

所述第一预设真空范围为小于6pa/min。

在一些较佳的实施例中，所述待镀膜硅片为已完成ALD双面氧化铝沉积镀膜的硅片。

在一些较佳的实施例中，在所述将容纳有待镀膜硅片的石墨舟置于管式炉中之前，所述方法还包括：

对石墨舟进行预处理；