[发明专利]半导体工艺设备中的工艺腔室及半导体工艺设备

说明书

本发明提供一种半导体工艺设备中的工艺腔室及半导体工艺设备，其中，工艺腔室包括腔室本体和腔室盖，腔室盖用于密封腔室本体，腔室盖包括盖体组件和支撑组件，盖体组件与腔室本体可转动地连接，且盖本组件可相对于腔室本体升降；支撑组件与盖体组件连接，用于在盖体组件朝腔室本体转动的过程中支撑盖体组件，阻止盖体组件与腔室本体接触，使盖体组件与腔室本体之间存在间隙，且在盖体组件与腔室本体相对的两个面平行后，停止支撑盖体组件，使盖体组件与腔室本体接触。本发明提供的半导体工艺设备中的工艺腔室及半导体工艺设备，能够避免密封部件的磨损，从而提高密封部件的寿命，延长维护周期，并能够便于腔室盖的关闭。

技术领域

本发明涉及半导体设备技术领域，具体地，涉及一种半导体工艺设备中的工艺腔室及半导体工艺设备。

背景技术

目前，钨塞(W-plug)工艺通常采用原子层沉积法(Atomic layer deposition，简称ALD)或化学气相沉积法(Chemical Vapour Deposition，简称CVD)进行。

如图1所示，这两种工艺所用的工艺腔室通常包括腔室本体11和腔室盖12，腔室本体11内设置有例如用于承载晶片(Wafer)的承载部件(图中未示出)等工艺用配套部件(Kits)，腔室盖12上设置有用于提供工艺气体的进气部件(图中未示出)。如图1所示，腔室本体11的上设置有转轴座13、密封圈14和定位销孔15，腔室盖12上设置有转轴16和定位销17，其中，转轴16可在转轴座13中转动，以在腔室盖12关闭的过程中，使腔室盖12相对于腔室本体11转动，密封圈14相对于腔室本体11朝向腔室盖12一侧的表面凸出，使其能够在腔室盖12关闭的过程中被腔室盖12压缩，以对腔室盖12与腔室本体11之间进行密封，定位销17与定位销孔15配合，用于对腔室盖12进行定位，使进气部件与配套部件的相对位置满足工艺需求。

但是，如图2和图3所示，在腔室盖12关闭的过程中，由于密封圈14相对于腔室本体11朝向腔室盖12一侧的表面凸出，腔室盖12朝向腔室本体11的一侧面会先与密封圈14接触，之后腔室盖12继续转动的过程中，腔室盖12朝向腔室本体11的一侧面会与密封圈14发生滑动摩擦，造成密封圈14磨损，导致密封圈14寿命降低，降低维护周期，并且，若腔室盖12的重量较轻，密封圈14与腔室盖12之间的摩擦力，还会导致腔室盖12被密封圈14支撑翘起，无法顺利密封，还需手动按压腔室盖12才能使腔室盖12完全关闭，不便于腔室盖12的关闭。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种腔室盖及工艺腔室，其能够避免密封部件的磨损，从而提高密封部件的寿命，延长维护周期，并能够便于腔室盖的关闭。

为实现本发明的目的而提供一种半导体工艺设备中的工艺腔室，包括腔室本体和腔室盖，所述腔室盖用于密封所述腔室本体，所述腔室盖包括盖体组件和支撑组件，所述盖体组件与所述腔室本体可转动地连接，且所述盖体组件可相对于所述腔室本体升降；

所述支撑组件与所述盖体组件连接，用于在所述盖体组件朝所述腔室本体转动的过程中支撑所述盖体组件，阻止所述盖体组件与所述腔室本体接触，使所述盖体组件与所述腔室本体之间存在间隙，且在所述盖体组件与所述腔室本体相对的两个面平行后，停止支撑所述盖体组件，使所述盖体组件与所述腔室本体接触。

优选的，所述盖体组件包括盖本体和转动配合件，其中，所述转动配合件设置在所述腔室本体上，所述盖本体上设置有转动部件，所述转动部件与所述转动配合件转动配合，且所述盖本体能够相对于所述转动配合件升降。

优选的，所述转动部件包括转轴，所述转动配合件中设置有条形孔，所述转轴可转动地设置在所述条形孔中，并能够沿所述条形孔的长度方向移动。