[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202011154837.3 | 申请日: | 2020-10-26 |
公开(公告)号: | CN113314565A | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 赵允锺;成硕济;李圣俊 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 李盛泉;姜长星 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
本公开涉及显示装置,根据一实施例的显示装置包括:基板;多晶半导体,包括位于基板上的驱动晶体管的沟道、第一电极以及第二电极;驱动晶体管的栅极电极,位于驱动晶体管的沟道上;第一维持电极,位于驱动晶体管的栅极电极上;第三晶体管的光阻挡层以及第七晶体管的光阻挡层,位于基板上;氧化物半导体,包括第三晶体管的沟道、第一电极、第二电极以及第七晶体管的沟道、第一电极以及第二电极,其中,第三晶体管的沟道、第一电极、第二电极位于第三晶体管的光阻挡层上,第七晶体管的沟道、第一电极、第二电极位于第七晶体管的光阻挡层上;第三晶体管的栅极电极,位于第三晶体管的沟道上;以及第七晶体管的栅极电极,位于第七晶体管的沟道上。
技术领域
本发明涉及一种显示装置。
背景技术
有机发光显示装置包括两个电极以及位于其之间的有机发光层,从一个电极注入的电子(electron)和从另一电极注入的空穴(hole)在有机发光层结合而形成激子(excition)。激子从激发态(exited state)变为基态(ground state)而发出能量来发光。
这样的有机发光显示装置包括包含有作为自发光元件的有机发光二极管的多个像素,在各个像素形成有用于驱动有机发光二极管的多个晶体管以及一个以上的电容器(Capacitor)。多个晶体管基本包括开关晶体管以及驱动晶体管。
为了提升有机发光显示装置的分辨率而增加像素的数量,为了实现稳定的视频,在高速驱动的过程中开口率可能减小,并且电流密度可能增加,驱动电压可能增加。据此,存在发生斑点并且晶体管等元件的可靠性降低的问题点。
发明内容
实施例用于使显示装置稳定地驱动,提升可靠性并且改善消耗电力。
根据一实施例的显示装置包括:基板;多晶半导体,包括位于所述基板上的驱动晶体管的沟道、第一电极以及第二电极;驱动晶体管的栅极电极,位于所述驱动晶体管的沟道上;第一维持电极,位于所述驱动晶体管的栅极电极上;第三晶体管的光阻挡层以及第七晶体管的光阻挡层,位于所述基板上;氧化物半导体,包括第三晶体管的沟道、第一电极、第二电极以及第七晶体管的沟道、第一电极以及第二电极,其中,所述第三晶体管的沟道、第一电极、第二电极位于所述第三晶体管的光阻挡层上,所述第七晶体管的沟道、第一电极、第二电极位于第七晶体管的光阻挡层上;第三晶体管的栅极电极,位于所述第三晶体管的沟道上;以及第七晶体管的栅极电极,位于所述第七晶体管的沟道上,其中,所述第三晶体管的光阻挡层与所述第一维持电极位于同一层,所述第七晶体管的光阻挡层与所述驱动晶体管的栅极电极位于同一层。
所述驱动晶体管可以具有p型晶体管特性,所述第三晶体管以及所述第七晶体管可以具有n型晶体管特性。
所述第三晶体管的光阻挡层可以与所述第三晶体管的沟道以及所述第三晶体管的栅极电极重叠,所述第七晶体管的光阻挡层可以与所述第七晶体管的沟道以及所述第七晶体管的栅极电极重叠。
根据一实施例的显示装置还可以包括:第一栅极绝缘膜,位于所述多晶半导体和所述驱动晶体管的栅极电极之间;第二栅极绝缘膜,位于所述驱动晶体管的栅极电极和所述第一维持电极之间;第一层间绝缘膜,位于所述第三晶体管的光阻挡层和所述氧化物半导体之间,并位于所述第七晶体管的光阻挡层和所述氧化物半导体之间;第三栅极绝缘膜,位于所述氧化物半导体和所述第三晶体管的栅极电极之间,并位于所述氧化物半导体和所述第七晶体管的栅极电极之间;以及第二层间绝缘膜,位于所述第三晶体管的栅极电极以及所述第七晶体管的栅极电极上。
根据一实施例的显示装置还可以包括:连接电极,连接所述驱动晶体管的第二电极和所述第三晶体管的第一电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的