[发明专利]不同尺寸晶圆键合定位装置,键合体及其制备方法在审
申请号: | 202011154997.8 | 申请日: | 2020-10-26 |
公开(公告)号: | CN112234012A | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 张涛;张秀全;朱厚彬;韩智勇;董玉爽 | 申请(专利权)人: | 济南晶正电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/683;H01L41/312 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 逯长明;许伟群 |
地址: | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 不同 尺寸 晶圆键合 定位 装置 合体 及其 制备 方法 | ||
1.一种不同尺寸晶圆键合定位装置,其特征在于,所述定位装置包括:
用于定位第一晶圆的第一定位盘和用于定位第二晶圆的第二定位盘;
所述第一定位盘和第二定位盘为空心圆环,所述第二定位盘内环直径大于所述第一定位盘的内环直径;所述第一定位盘与所述第二定位盘叠层且同轴设置;
所述第一定位盘和第二定位盘设置有平边结构或定位柱,所述平边结构用于与所述第一晶圆或第二晶圆的平边吻合,所述定位柱用于与所述第一晶圆或第二晶圆的V槽边吻合。
2.根据权利要求1所述的定位装置,其特征在于,所述第一定位盘和第二定位盘均设置有平边结构,且两平边结构的平边平行设置,两平边结构的平边中心线重合。
3.根据权利要求1所述的定位装置,其特征在于,所述第一定位盘设置有平边结构;所述第二定位盘设置有定位柱,所述定位柱与第二晶圆的V槽吻合,所述第一定位盘平边结构中心线和第二定位盘的定位柱中心线重合。
4.根据权利要求1所述的定位装置,其特征在于,所述第一定位盘和第二定位盘均设置有定位柱;所述定位柱与第一晶圆或第二晶圆的V槽吻合,所述第一定位盘的定位柱中心线和第二定位盘的定位柱中心线重合。
5.根据权利要求1所述的定位装置,其特征在于,所述第一定位盘和第二定位盘一体成型。
6.根据权利要求1所述的定位装置,其特征在于,所述第一晶圆内嵌于所述第一定位盘中,所述第二晶圆内嵌于所述第二定位盘中。
7.根据权利要求1所述的定位装置,其特征在于,所述第一定位盘和所述第二定位盘中均设置有开口结构。
8.根据权利要求1所述的定位装置,其特征在于,所述定位装置为打开扣合式或者分离式。
9.一种不同尺寸晶圆键合体的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
制备定位装置,所述定位装置为权利要求1-8任一项所述的定位装置;
将所述定位装置固定安装在键合机的工作台上,使所述定位装置的圆心与工作台的圆心重合;
将处理后的第一晶圆放置于第一定位盘,将处理后的第二晶圆放置于第二定位盘,所述第一晶圆与第二晶圆的工艺面相向放置;其中,在放置时,所述第一晶圆的平边与第一定位盘的平边结构吻合,或者,所述第一晶圆的V槽边与第一定位盘的定位柱卡和;所述第二晶圆的平边与第二定位盘的平边结构吻合,或者,第二晶圆的V槽边与第二定位盘的定位柱卡和;
利用键合机,将所述第一晶圆与第二晶圆的工艺面贴合,得到第一晶圆和第二晶圆的键合体。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,将处理后的第一晶圆放置于第一定位盘,将处理后的第二晶圆放置于第二定位盘,包括:
先将处理后的第二晶圆放置于第二定位盘中,启动键合机顶层真空装置吸附第二晶圆上移;然后将处理后的第一晶圆放置于第一定位盘中,键合机工作台上设置支撑装置支撑第一晶圆,启动键合机底层真空装置吸附第一晶圆,关掉顶层真空装置,第二晶圆下落与第一晶圆贴合。
11.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,将处理后的第一晶圆放置于第一定位盘,将处理后的第二晶圆放置于第二定位盘,包括:
先将处理后的第一晶圆放置于第一定位盘中,键合机工作台上设置支撑装置支撑第一晶圆,键合机底层真空装置吸附第一晶圆,第一晶圆上平面低于第一定位盘与第二定位盘之间的平台处的平面;将处理后的第二晶圆放置于第二定位盘中,启动支撑装置上移,使第一晶圆与第二晶圆贴合。
12.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,将处理后的第一晶圆放置于第一定位盘,将处理后的第二晶圆放置于第二定位盘,包括:
将处理后的第一晶圆的平边与所述第一定位盘的平边对齐,将处理后的第二晶圆的平边与所述第二定位盘的平边对齐。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造