[发明专利]一种改善抛光头研磨液结晶的方法

说明书

本发明涉及半导体硅片加工技术领域。一种改善抛光头研磨液结晶的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，剪裁精抛研磨布，以精抛研磨布作为抛光头保护垫；步骤二，抛光头表面擦拭干净；步骤三，将剪裁好的抛光头保护垫粘附在所述抛光头的上表面。本专利解决了抛光头结晶造成机械伤不良。解决了抛光头停机保养困难.提高产能工作效率。

技术领域

本发明涉及半导体硅片加工技术领域，具体涉及一种改善抛光头研磨液结晶的方法。

背景技术

在半导体硅片镜面抛光过程中，颗粒的落入无疑是造成机械伤的主要原因，对于镜面抛光工序来说最易产生大颗粒区域为抛光头上研磨液结晶。抛光头结晶长时间堆积，达到一定的厚度在加工产品过程中自然脱落造成机械伤。

传统研磨头的保养方法为1)抛光头停止定盘上铺上塑料薄膜；2)拆去抛光头外罩；3)抛光头涂NaOH药液腐蚀4小时；4)腐蚀结束后使用纯水冲洗抛光头；5)待抛光头NaOH药液冲洗干净使用刀片刮去未腐蚀掉的研磨剂结晶；6)刀片刮干净后在使用纯水冲洗抛光头。

通过上述保养方法对抛光头结晶的清除，常需要大量的人力物力时间停机进行抛光头结晶清除。

发明内容

针对现有技术存在的问题，本发明提供一种改善抛光头研磨液结晶的方法，以解决抛光头上存有研磨液结晶的问题。

本发明的技术方案是：一种改善抛光头研磨液结晶的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，剪裁精抛研磨布，以精抛研磨布作为抛光头保护垫；

步骤二，抛光头表面擦拭干净；

步骤三，将剪裁好的抛光头保护垫粘附在所述抛光头的上表面。

本专利解决了抛光头结晶造成机械伤不良。解决了抛光头停机保养困难.提高产能工作效率。改善后抛光头保养无需每月停机一天做保养，只需要在平时工作中抛光头保护垫破损污迹更换大约6个月/次。保养方便更换一枚抛光头保护垫3-5分钟完成简单方便。灵活多样可以适应不同抛光设备抛光头，灵活裁剪抛光头大小的保护垫制作防护垫。

进一步优选地，步骤三之后，黏贴完成压去抛光头保护垫上气泡冲洗干净。

进一步优选地，抛光头保护垫通过纯水冲洗干净。避免引入杂质。

进一步优选地，所述抛光头保护垫是一内开圆孔的圆形保护垫。便于匹配抛光头的结构。

进一步优选地，所述抛光头保护垫的外径大于抛光头外径，且差值为28mm-32mm。

进一步优选地，所述抛光头保护垫的内径与传动主轴的外径之间差值为0mm-1mm。

进一步优选地，所述抛光头保护垫的圆孔的内径为130mm，所述圆形保护垫的外径为390mm。

该尺寸适用于抛光头的外径为360mm，抛光头的传动主轴的外径为130mm。

进一步优选地，所述抛光头保护垫上开设有一径向延伸的割痕。

便于抛光头保护垫安装至抛光头上。

进一步优选地，每5-6个月替换一次抛光头保护垫。

进一步优选地，步骤二，通过酒精对抛光头表面擦拭干净。

附图说明

图1为本发明的局部结构示意图。

图中，1为抛光头保护垫，2为抛光头，3为传动主轴。

具体实施方式

下面结合附图对本发明做进一步的说明。