[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法和内嵌式触摸面板型显示装置有效

专利信息
申请号: 202011155294.7 申请日: 2020-10-26
公开(公告)号: CN112736091B 公开(公告)日: 2023-08-11
发明(设计)人: 相地广西 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G06F3/041;G06F3/044
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 权鲜枝;张艳凤
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 有源 矩阵 及其 制造 方法 内嵌式 触摸 面板 显示装置
【说明书】:

一种有源矩阵基板,具备薄膜晶体管、像素电极、像素接触部及共用电极,在薄膜晶体管中,漏极电极隔着下部绝缘层配置在半导体层上,并在形成于下部绝缘层的漏极用开口部内与半导体层的一部分接触,像素接触部具有第1绝缘层、连接电极、第2绝缘层及像素电极,在第2绝缘层上形成有包含像素电极、共用电极及位于其间的电介质层的透明电容部,在从基板的法线方向观看时,漏极用开口部内的漏极电极和半导体层接触的漏极接触区域既不与第1开口部内的连接电极和漏极电极接触的第1接触区域重叠,又不与第2开口部内的像素电极和连接电极接触的第2接触区域重叠,第2接触区域的整个区域与第1接触区域重叠,透明电容部与第1接触区域至少部分地重叠。

技术领域

本发明涉及有源矩阵基板及其制造方法和内嵌式触摸面板型显示装置。

背景技术

在具备有源矩阵基板的显示装置中,按每个像素设置有像素电极和开关元件。作为开关元件,例如使用薄膜晶体管(Thin Film Transistor:以下称为“TFT”)。也已提出使用氧化物半导体作为TFT的活性层的材料来代替非晶硅、多晶硅。此外,在本说明书中,有时将与显示装置的像素对应的有源矩阵基板的部分称为“像素区域”或“像素”。

作为有源矩阵型的显示装置的动作模式,有时采用FFS(Fringe FieldSwitching:边缘场开关)模式、IPS(In-Plane-Switching:面内开关)模式等横向电场方式的模式。在横向电场方式中,在有源矩阵基板设置一对电极(像素电极和共用电极),在与基板面平行的方向(横向)上对液晶分子施加电场。各像素的像素电极的至少一部分配置为隔着电介质层与共用电极重叠。因此,在像素电极与共用电极重叠的部分会形成电容。该电容能具有作为显示装置中的辅助电容(以下称为“透明辅助电容”)的功能。

在将有源矩阵基板应用于内置有触摸传感器功能的显示装置(以下称为“内嵌式触摸面板型显示装置”)的情况下,有时会在有源矩阵基板设置触摸传感器的电极(驱动电极或检测电极)。例如,在横向电场方式中,已知将设置于有源矩阵基板的共用电极分割为多个段并使各段作为触摸传感器用的电极发挥功能的结构(例如专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:特开2015-206830号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而,当将利用了像素电极和共用电极的透明辅助电容形成在具有比较大的凹凸的基底之上时,有可能在这些电极之间发生微小的漏电。这样的漏电会成为产生显示不均的主要原因。因此,在像素内能形成透明辅助电容的区域受到限制,有时难以增大透明辅助电容的尺寸。详细情况后述。

本发明的一实施方式是鉴于上述情况完成的,其目的在于,提供能抑制使用了像素电极和共用电极的透明辅助电容中的电极间的漏电流并且扩大透明辅助电容的面积的有源矩阵基板及其制造方法。

用于解决问题的方案

本说明书涉及以下的项目记载的有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法以及内嵌式触摸面板型显示装置。

[项目1]一种有源矩阵基板,

具有包含多个像素区域的显示区域,

具备:

基板;

薄膜晶体管,其支撑于上述基板,并且与各像素区域相对应地配置;

像素电极,其在上述各像素区域中配置在上述薄膜晶体管的上方;

像素接触部,其在上述各像素区域中将上述像素电极电连接到上述薄膜晶体管;以及

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