[发明专利]半导体工艺设备

权利要求书

1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：工艺腔室、负载腔室及传输腔室；

所述工艺腔室内设置有用于承载晶圆的基座，所述基座上设置有聚焦环；

所述负载腔室内设置有多个子腔室，每个所述子腔室内均设置有支撑组件，所述支撑组件用于承载晶圆，至少一个所述子腔室内的支撑组件还用于承载所述聚焦环；

多个所述工艺腔室及多个所述负载腔室环绕设置于所述传输腔室的外周，与所述传输腔室选择性连通，所述传输腔室内设置有机械手结构，所述机械手结构用于在所述负载腔室及所述工艺腔室之间传送所述晶圆或所述聚焦环。

2.如权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括有前端腔室，所述前端腔室与所述负载腔室连接，并且所述前端腔室与所述负载腔室之间设置有第一门阀，用于选择性连通所述前端腔室及所述负载腔室；所述负载腔室与所述传输腔室之间设置有第二门阀，所述第二门阀与所述第一门阀相对设置，用于选择性连通所述负载腔室及所述传输腔室。

3.如权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述负载腔室还包括有隔板，至少一个所述隔板水平设置于所述负载腔室内，并且位于所述第一门阀及所述第二门阀之间；所述至少一个隔板将所述负载腔室内的空间分隔为所述多个子腔室，并且所述多个子腔室沿竖直方向层叠设置。

4.如权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第一门阀包括多个第一子门阀，所述多个第一子门阀与所述多个子腔室一一对应，所述第一子门阀用于选择性连通所述前端腔室及与其对应的所述子腔室；所述第二门阀包括多个第二子门阀，所述多个第二子门阀与所述多个子腔室一一对应，所述第二子门阀用于选择性连通与其对应的所述子腔室及所述传输腔室。

5.如权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述支撑组件上形成有多个叠层设置的用于承载晶圆的晶圆槽；还用于承载所述聚焦环的支撑组件上还形成有用于承载所述聚焦环的聚焦环槽，所述聚焦环槽位于两个所述晶圆槽之间。

6.如权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述负载腔室还包括加热组件及隔热板，所述加热组件设置于所述负载腔室的侧壁上，用于对所述负载腔室加热；所述隔热板设置于所述负载腔室与所述传输腔室之间，用于隔挡所述加热组件的热量传递至所述传输腔室。

7.如权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述工艺腔室还包括晶圆升降组件及聚焦环升降组件，所述晶圆升降组件及所述聚焦环升降组件均穿设于所述基座中，其顶端均能凸伸出所述基座的上表面，所述晶圆升降组件用于带动所述晶圆进行升降，所述聚焦环升降组件用于带动所述聚焦环进行升降。

8.如权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述机械手结构包括驱动器和机械手，所述驱动器用于驱动所述机械手转动或伸缩；所述机械手包括机械手大臂、机械手小臂及机械手手指，所述机械手大臂的两端分别与所述驱动器及所述机械手小臂传动连接，所述机械手手指与所述机械手小臂传动连接，所述机械手手指上设置有用于承载所述晶圆的晶圆承载部及用于承载所述聚焦环的聚焦环承载部。

9.如权利要求8所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述机械手大臂的宽度大于等于所述机械手小臂的宽度，所述机械手小臂的宽度大于等于所述机械手手指的宽度；所述机械手大臂的厚度大于所述机械手小臂的厚度，所述机械手小臂的厚度大于所述机械手手指的厚度。

10.如权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述负载腔室为铝合金材质制成，并且所述负载腔室的内壁上还设置有抗蚀层，所述抗蚀层为阳极氧化铝材质。

11.如权利要求1至10的任一所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述传输腔室为八边形结构，六个所述工艺腔室以及两个所述负载腔室依次设置于所述传输腔室的八个侧壁上；或者所述传输腔室为矩形结构，六个所述工艺腔室及两个所述负载腔室分别设置于所述传输腔室四个侧壁上。