[发明专利]一种用于碲锌镉晶体制备过程中生长坩埚的SiC支撑托有效
| 申请号： | 202011156052.X | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN114481288B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 赵鹏;姜军;孔金丞;陈少璠;赵文;庹梦寒;袁绶章;王静宇;姬荣斌 | 申请（专利权）人： | 昆明物理研究所 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/48 |
| 代理公司： | 昆明今威专利商标代理有限公司 53115 | 代理人： | 赛晓刚 |
| 地址： | 650221 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 碲锌镉 晶体 制备 过程 生长 坩埚 sic 支撑 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于碲锌镉晶体制备过程中生长坩埚的SiC支撑托，包括底座基体（1），其特征在于：
所述底座基体（1）为柱体形状，底座基体（1）的上端面为与生长坩埚底面形状相吻合的弧面凹槽（2），用于提取晶体生长过程中生长坩埚底部的热量，在减小应力对生长坩埚损伤的同时建立稳定、理想的晶体生长热场条件；
所述弧面凹槽（2）的截面弧形所在圆的外直径与生长坩埚等径段外径相同，其内直径比生长坩埚的籽晶段外径大且用SiC粉（5）填充；
在所述弧面凹槽（2）的凹面与底座基体（1）的外侧设置圆角（3）；
所述底座基体（1）的下端面挖去一个与其同心的一个圆柱体（4），用于嵌套于晶体生长的长晶杆顶端，保障晶体生长过程中生长坩埚居于长晶炉中心。
2.根据权利要求1所述的SiC支撑托，其特征在于：
所述底座基体（1）的长度和生长坩埚等径部分的长度相同。
3.根据权利要求1所述的SiC支撑托，其特征在于：
所述底座基体（1）为圆柱体形状。
4.根据权利要求1至3任一项所述的SiC支撑托，其特征在于：
所述SiC支撑托适用于垂直布里奇曼法和垂直温度梯度凝固法生长碲锌镉单晶。
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